IRF630NPBF, Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 ₸
Мин. кол-во для заказа 340 шт.
от 673 шт. —
520 ₸
от 1794 шт. —
510 ₸
Добавить в корзину 340 шт.
на сумму 180 200 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003190698
Артикул: IRF630NPBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Силовые полевые МОП-транзисторы Infineon первой применила технологию силовых полевых МОП-транзисторов на полевых транзисторах, разработав и представив первые полевые МОП-транзисторы с гексагональной топологией в 1979 году. Эти разработки получили широкий патент всего четыре года спустя, и с тех пор большинство производителей полевых МОП-транзисторов лицензировали дизайн и процессы для выхода на этот рынок. ИК-продукты демонстрируют самое низкое сопротивление в открытом состоянии MOSFET, доступное на рынке для аналогичных компонентов в своем классе, что позволяет создавать подсистемы преобразования энергии, которые демонстрируют непревзойденную эффективность. IR сочетает в себе новейшую кремниевую технологию с инновационной технологией упаковки. Пакеты IR POWIRTAB ™, Super-220 ™ и Super-247 ™ позволяют на 20 А больше тока на одно устройство при той же занимаемой площади, чем стандартные корпуса, увеличивая удельную мощность. Совместимая со стандартными методами пайки поверхностным монтажом, технология упаковки IR's FlipFET® обеспечивает 100% соотношение кремния и занимаемой площади при такой же производительности, как и у обычного корпуса, в 3 раза большего, что делает ее идеальным решением для портативных устройств, таких как портативные телефоны или ноутбуки. Корпус IR DirectFET® революционизирует управление температурой в корпусе стандартного SO-8, отводя тепло от платы через верхнюю часть корпуса. В результате полевые МОП-транзисторы с DirectFET могут удвоить плотность тока и вдвое снизить затраты на управление температурой в сильноточных цепях, питающих микропроцессоры следующего поколения.
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 9,3 А |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Максимальное рассеяние мощности | 82 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.69мм |
| Высота | 8.77мм |
| Размеры | 10.54 x 4.69 x 8.77мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.54мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 7.9 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 27 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 300 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 575 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Id - непрерывный ток утечки: | 9.3 a |
| Pd - рассеивание мощности: | 82 w |
| Qg - заряд затвора: | 23.3 nc |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 300 mohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 200 v |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 v, +20 v |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2 v |
| Вид монтажа: | through hole |
| Время нарастания: | 14 ns |
| Время спада: | 15 ns |
| Другие названия товара №: | irf630npbf sp001564792 |
| Канальный режим: | enhancement |
| Категория продукта: | моп-транзистор |
| Количество каналов: | 1 channel |
| Конфигурация: | single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 4.9 s |
| Максимальная рабочая температура: | +175 c |
| Минимальная рабочая температура: | -55 c |
| Подкатегория: | mosfets |
| Полярность транзистора: | n-channel |
| Производитель: | infineon |
| Размер фабричной упаковки: | 100 |
| Технология: | si |
| Тип продукта: | mosfet |
| Тип транзистора: | 1 n-channel |
| Типичное время задержки выключения: | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 7.9 ns |
| Торговая марка: | infineon/ir |
| Упаковка / блок: | to-220-3 |
| Упаковка: | tube |
| Крутизна характеристики S,А/В | 4.9 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 300 |
| Температура, С | -55…+175 |
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1350 |
| Fall Time | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min | 4.9 S |
| Height | 15.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 9.3 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 82 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 23.3 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 300 mOhms |
| Rise Time | 14 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7.9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 4.4 mm |
Техническая документация
Datasheet IRF630NPBF
pdf, 344 КБ
Datasheet IRF630NPBF
pdf, 335 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
