IRF630NPBF, Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/4 IRF630NPBF, Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
530
Мин. кол-во для заказа 340 шт.
от 673 шт.520
от 1794 шт.510
Добавить в корзину 340 шт. на сумму 180 200
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003190698
Артикул: IRF630NPBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Силовые полевые МОП-транзисторы
Infineon первой применила технологию силовых полевых МОП-транзисторов на полевых транзисторах, разработав и представив первые полевые МОП-транзисторы с гексагональной топологией в 1979 году. Эти разработки получили широкий патент всего четыре года спустя, и с тех пор большинство производителей полевых МОП-транзисторов лицензировали дизайн и процессы для выхода на этот рынок. ИК-продукты демонстрируют самое низкое сопротивление в открытом состоянии MOSFET, доступное на рынке для аналогичных компонентов в своем классе, что позволяет создавать подсистемы преобразования энергии, которые демонстрируют непревзойденную эффективность. IR сочетает в себе новейшую кремниевую технологию с инновационной технологией упаковки. Пакеты IR POWIRTAB ™, Super-220 ™ и Super-247 ™ позволяют на 20 А больше тока на одно устройство при той же занимаемой площади, чем стандартные корпуса, увеличивая удельную мощность. Совместимая со стандартными методами пайки поверхностным монтажом, технология упаковки IR's FlipFET® обеспечивает 100% соотношение кремния и занимаемой площади при такой же производительности, как и у обычного корпуса, в 3 раза большего, что делает ее идеальным решением для портативных устройств, таких как портативные телефоны или ноутбуки. Корпус IR DirectFET® революционизирует управление температурой в корпусе стандартного SO-8, отводя тепло от платы через верхнюю часть корпуса. В результате полевые МОП-транзисторы с DirectFET могут удвоить плотность тока и вдвое снизить затраты на управление температурой в сильноточных цепях, питающих микропроцессоры следующего поколения.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 9,3 А
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 82 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.69мм
Высота 8.77мм
Размеры 10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.54мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 7.9 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 27 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 300 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 200 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 35 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 575 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки: 9.3 a
Pd - рассеивание мощности: 82 w
Qg - заряд затвора: 23.3 nc
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 300 mohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 v
Vgs - напряжение затвор-исток: -20 v, +20 v
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2 v
Вид монтажа: through hole
Время нарастания: 14 ns
Время спада: 15 ns
Другие названия товара №: irf630npbf sp001564792
Канальный режим: enhancement
Категория продукта: моп-транзистор
Количество каналов: 1 channel
Конфигурация: single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 4.9 s
Максимальная рабочая температура: +175 c
Минимальная рабочая температура: -55 c
Подкатегория: mosfets
Полярность транзистора: n-channel
Производитель: infineon
Размер фабричной упаковки: 100
Технология: si
Тип продукта: mosfet
Тип транзистора: 1 n-channel
Типичное время задержки выключения: 27 ns
Типичное время задержки при включении: 7.9 ns
Торговая марка: infineon/ir
Упаковка / блок: to-220-3
Упаковка: tube
Крутизна характеристики S,А/В 4.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 300
Температура, С -55…+175
Brand Infineon Technologies
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 1350
Fall Time 15 ns
Forward Transconductance - Min 4.9 S
Height 15.65 mm
Id - Continuous Drain Current 9.3 A
Length 10 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 82 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 23.3 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 300 mOhms
Rise Time 14 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 27 ns
Typical Turn-On Delay Time 7.9 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 200 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Width 4.4 mm

Техническая документация

Datasheet IRF630NPBF
pdf, 344 КБ
Datasheet IRF630NPBF
pdf, 335 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов