IRF2807PBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/3 IRF2807PBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
860
Мин. кол-во для заказа 210 шт.
от 1119 шт.810
Добавить в корзину 210 шт. на сумму 180 600
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003190535
Артикул: IRF2807PBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
MOSFET, N, 75V, 82A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:71A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max:82A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.75°C/W; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; On State resistance @ Vgs = 10V:13mohm; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pulse Current Idm:280A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 82 А
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 230 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.69мм
Высота 8.77мм
Размеры 10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.54мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 13 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 49 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 13 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 80 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 160 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 3820 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки: 82 A
Pd - рассеивание мощности: 200 W
Qg - заряд затвора: 106.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 13 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 75 V
Vgs - напряжение затвор-исток: -20 V, +20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2 V
Вид монтажа: Through Hole
Другие названия товара №: IRF2807PBF SP001550978
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: +175 C
Минимальная рабочая температура: -55 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Производитель: Infineon
Размер фабричной упаковки: 50
Технология: Si
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel
Торговая марка: Infineon/IR
Упаковка / блок: TO-220-3
Упаковка: Tube
кол-во в упаковке 50
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 82A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3820pF 25V
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В C ~ 175В C(TJ)
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 230W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm 43A, 10V
Series HEXFETВ(r)
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V 250ВuA

Техническая документация

Datasheet
pdf, 233 КБ
Datasheet IRF2807PBF
pdf, 242 КБ
Datasheet IRF2807
pdf, 211 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов