Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF3710PBF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A ...

IRF3710PBF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

890 ₸

Мин. кол-во для заказа 200 шт.

от 1116 шт. — 830 ₸

Добавить в корзину 200 шт. на сумму 178 000 ₸

Посмотреть альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003190520

Артикул: IRF3710PBF

Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

МОП-транзистор MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC

Технические параметры

Максимальная рабочая температура	+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока	57 А
Тип корпуса	TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности	200 W
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.69мм
Высота	8.77мм
Размеры	10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.54мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	12 нс
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	45 ns
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	23 мОм
Максимальное напряжение сток-исток	100 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	130 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	3130 pF@ 25 V
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	57
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	23
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	200
Крутизна характеристики S,А/В	32
Особенности	Электропривод
Температура, С	-55...+175
Корпус	TO220AB
Id - непрерывный ток утечки	57 A
Pd - рассеивание мощности	200 W
Qg - заряд затвора	86.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	23 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	SP001551058
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Диапазон рабочих температур	-55…+175 С
Заряд	затвора(Qg)-86.7 нКл
Мощность	рассеиваемая(Pd)-200 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-4В
Описание	100V, 57A
Сопротивление	сток-исток открытого транзистора(Rds)-23 мОм
Способ монтажа	Through Hole
Тип	МОП-Транзистор, кремниевый, 1 N-канал
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	57A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3130pF 25V
Manufacturer	Infineon Technologies
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В C ~ 175В C(TJ)
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	200W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm 28A, 10V
Series	HEXFETВ(r)
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V 250ВuA