IRF3710PBF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/6 IRF3710PBF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
890
Мин. кол-во для заказа 200 шт.
от 1116 шт.830
Добавить в корзину 200 шт. на сумму 178 000
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003190520
Артикул: IRF3710PBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 57 А
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 200 W
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.69мм
Высота 8.77мм
Размеры 10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.54мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 12 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 45 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 23 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 130 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 3130 pF@ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 57
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 23
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики S,А/В 32
Особенности Электропривод
Температура, С -55...+175
Корпус TO220AB
Id - непрерывный ток утечки 57 A
Pd - рассеивание мощности 200 W
Qg - заряд затвора 86.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 23 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № SP001551058
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Диапазон рабочих температур -55…+175 С
Заряд затвора(Qg)-86.7 нКл
Мощность рассеиваемая(Pd)-200 Вт
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-4В
Описание 100V, 57A
Сопротивление сток-исток открытого транзистора(Rds)-23 мОм
Способ монтажа Through Hole
Тип МОП-Транзистор, кремниевый, 1 N-канал
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 57A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3130pF 25V
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В C ~ 175В C(TJ)
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm 28A, 10V
Series HEXFETВ(r)
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V 250ВuA

Техническая документация

Datasheet IRF3710PBF
pdf, 219 КБ
Datasheet IRF3710PBF
pdf, 218 КБ
IRF3710 datasheet
pdf, 125 КБ
Datasheet IRF3710PBF
pdf, 241 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов