IMX25T110, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9000990283
Бренд
Pd - рассеивание мощности
300 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.1 mm
Длина
2.9 mm
Другие названия товара №
IMX25
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Все параметры
Datasheet IMX25T110
pdf, 992 КБ
Все документы
Спецпредложение
8 шт. с центрального склада, срок 2 недели
580 ₸
430 ₸
1 шт.
на сумму 430 ₸
Альтернативные предложения4
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN 20V 0.3A 6PIN
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | IMX25 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 820 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 2700 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.3 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 50 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 25 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 300 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 35 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | IMX2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SMT-6 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Вес, г | 0.0663 |
Техническая документация
Datasheet IMX25T110
pdf, 992 КБ
Datasheet IMX25T110
pdf, 550 КБ
