MMUN2233LT1G

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию

20 ₸
Мин. кол-во для заказа 851 шт.
от 2000 шт. —
16 ₸
от 9000 шт. —
14 ₸
Добавить в корзину 851 шт.
на сумму 17 020 ₸
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Технические параметры
Корпус | sot23 | |
кол-во в упаковке | 3000 | |
Brand | ON Semiconductor | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V | |
Configuration | Single | |
Continuous Collector Current | 0.1 A | |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 80, 200 | |
DC Current Gain HFE Max | 80 | |
Factory Pack Quantity | 3000 | |
Manufacturer | ON Semiconductor | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Package / Case | SOT-23-3 | |
Packaging | Cut Tape or Reel | |
Pd - Power Dissipation | 246 mW | |
Peak DC Collector Current | 100 mA | |
Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased | |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased | |
Series | MMUN2233L | |
Subcategory | Transistors | |
Transistor Polarity | NPN | |
Typical Input Resistor | 4.7 kOhms | |
Typical Resistor Ratio | 0.1 | |
Вес, г | 0.029 | |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 132 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов