2N7002KW

Фото 1/3 2N7002KW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
600
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.318
от 10 шт.234
от 13 шт.209
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 1 200
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002989039
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT-323-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:310mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V;

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 310mA(Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case SC-70, SOT-323
Packaging Tape & Reel(TR)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 350mW(Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Series -
Supplier Device Package SC-70(SOT323)
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250ВµA
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 300 mA
Maximum Drain Source Resistance 4.8 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 350 mW
Minimum Gate Threshold Voltage 1.1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Width 1.3mm
Вес, г 0.05

Техническая документация

2N7002KW
pdf, 124 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N7002KW
pdf, 282 КБ
Документация
pdf, 403 КБ