STP6NK90ZFP

Фото 1/4 STP6NK90ZFP
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт. со склада, срок 4-5 недель
4 000
от 2 шт.3 530
от 5 шт.3 210
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 000
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001975282
Бренд / Производитель: STMicroelectronics

Описание

MOSFET, N, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.8A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):1.56ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.75V; Power Dissipation Pd:30W; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015); Avalanche Single Pulse Energy Eas:300mJ; Capacitance Ciss Typ:1350pF; Current Iar:5.8A; Current Id Max:5.8A; On State resistance @ Vgs = 10V:2ohm; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pulse Current Idm:23.2A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:900V; Voltage Vds Typ:900V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4.5V; Voltage Vgs th Min:3V

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current - (A) 5.8
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 2000@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 900
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??30
Maximum Power Dissipation - (mW) 30000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~150
Packaging Tube
Pin Count 3
Process Technology SuperMESH
Standard Package Name TO-220
Supplier Package TO-220FP
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 46.5
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 46.5@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 1350@25V
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
Product Category Power MOSFET
Configuration Single
Maximum Drain Source Voltage (V) 900
Maximum Gate Source Voltage (V) ±30
Maximum Continuous Drain Current (A) 5.8
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 2000@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 46.5@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 46.5
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1350@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 30000
Typical Fall Time (ns) 20
Typical Rise Time (ns) 45
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 20
Typical Turn-On Delay Time (ns) 17
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Mounting Through Hole
Package Height 16.4(Max)
Package Length 10.4(Max)
Package Width 4.6(Max)
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Through Hole
Maximum Continuous Drain Current 5.8 A
Maximum Drain Source Resistance 2 Ω
Maximum Drain Source Voltage 900 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4.5V
Maximum Operating Temperature +150 C
Maximum Power Dissipation 30 W
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-220FP
Series MDmesh, SuperMESH
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 46.5 nC 10 V
Width 4.6mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 479 КБ
Datasheet STP6NK90ZFP
pdf, 476 КБ
STP6NK90ZFP datasheet
pdf, 684 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Алматы

Офис «ЧИП и ДИП» 6 марта1 бесплатно
Курьер 14 марта1 1 8932
ПВЗ DPD (KZ) 14 марта1 1 2812
ПВЗ СДЭК (KZ) 14 марта1 1 4122
ПВЗ MyPost 14 марта1 8702
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг