STP11NK40Z

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию


1800 шт. со склада, срок 5 недель
356 ₸
Мин. кол-во для заказа 43 шт.
от 100 шт. —
297 ₸
от 400 шт. —
280 ₸
Добавить в корзину 43 шт.
на сумму 15 308 ₸
Посмотреть альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.75V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015); Alternate Case Style:SOT-78B; Avalanche Single Pulse Energy Eas:190mJ; Capacitance Ciss Typ:930pF; Current Id Max:9A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; On State resistance @ Vgs = 10V:550mohm; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Configuration:a; Power Dissipation Ptot Max:110W; Pulse Current Idm:36A; Reverse Recovery Time trr Typ:225ns; Voltage Vds Typ:400V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4.5V; Voltage Vgs th Min:3V
Технические параметры
Корпус | to220ab | |
кол-во в упаковке | 50 | |
Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
Максимальный непрерывный ток стока | 9 A | |
Тип корпуса | TO-220 | |
Максимальное рассеяние мощности | 110 Вт | |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия | |
Ширина | 4.6мм | |
Высота | 9.15мм | |
Размеры | 10.4 x 4.6 x 9.15мм | |
Материал транзистора | SI | |
Количество элементов на ИС | 1 | |
Длина | 10.4мм | |
Transistor Configuration | Одинарный | |
Типичное время задержки включения | 20 ns | |
Производитель | STMicroelectronics | |
Типичное время задержки выключения | 40 нс | |
Серия | MDmesh, SuperMESH | |
Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
Максимальное сопротивление сток-исток | 550 мΩ | |
Максимальное напряжение сток-исток | 400 V | |
Число контактов | 3 | |
Категория | Мощный МОП-транзистор | |
Типичный заряд затвора при Vgs | 32 nC @ 10 V | |
Номер канала | Поднятие | |
Типичная входная емкость при Vds | 930 пФ при 25 В | |
Тип канала | N | |
Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 2000 | |
Fall Time | 18 ns | |
Forward Transconductance - Min | 5.8 S | |
Height | 9.15 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 9 A | |
Length | 10.4 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 110 W | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms | |
Rise Time | 20 ns | |
RoHS | Details | |
Series | N-channel MDmesh | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 20 ns | |
Unit Weight | 0.050717 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
Width | 4.6 mm | |
Вес, г | 2.59 | |
Техническая документация
...11NK40Z
pdf, 500 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Алматы
Офис «ЧИП и ДИП» | 13 марта1 | бесплатно |
Курьер | 20 марта1 | 1 893 ₸2 |
ПВЗ DPD (KZ) | 20 марта1 | 1 281 ₸2 |
ПВЗ СДЭК (KZ) | 20 марта1 | 1 412 ₸2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг