STP11NK40Z

Фото 1/3 STP11NK40Z
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1800 шт. со склада, срок 5 недель
356
Мин. кол-во для заказа 43 шт.
от 100 шт.297
от 400 шт.280
Добавить в корзину 43 шт. на сумму 15 308
Посмотреть альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8001784216
Бренд / Производитель: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.75V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015); Alternate Case Style:SOT-78B; Avalanche Single Pulse Energy Eas:190mJ; Capacitance Ciss Typ:930pF; Current Id Max:9A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; On State resistance @ Vgs = 10V:550mohm; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Configuration:a; Power Dissipation Ptot Max:110W; Pulse Current Idm:36A; Reverse Recovery Time trr Typ:225ns; Voltage Vds Typ:400V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4.5V; Voltage Vgs th Min:3V

Технические параметры

Корпус to220ab
кол-во в упаковке 50
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 9 A
Тип корпуса TO-220
Максимальное рассеяние мощности 110 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.6мм
Высота 9.15мм
Размеры 10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.4мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 20 ns
Производитель STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения 40 нс
Серия MDmesh, SuperMESH
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 550 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 400 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 32 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 930 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
Brand STMicroelectronics
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 2000
Fall Time 18 ns
Forward Transconductance - Min 5.8 S
Height 9.15 mm
Id - Continuous Drain Current 9 A
Length 10.4 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 110 W
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 550 mOhms
Rise Time 20 ns
RoHS Details
Series N-channel MDmesh
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 40 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns
Unit Weight 0.050717 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 400 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Width 4.6 mm
Вес, г 2.59

Техническая документация

...11NK40Z
pdf, 500 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Алматы

Офис «ЧИП и ДИП» 13 марта1 бесплатно
Курьер 20 марта1 1 8932
ПВЗ DPD (KZ) 20 марта1 1 2812
ПВЗ СДЭК (KZ) 20 марта1 1 4122
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг