SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А 1.66Вт [SOT-23-3.]
![SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А 1.66Вт [SOT-23-3.]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9000982600
Структура
N-Channel
Крутизна характеристики, S
5
Корпус
SOT-23-3
Вес, г
0.05
Все параметры
Datasheet SI2308BDS
pdf, 1472 КБ
7237 шт. с центрального склада, срок 9 дней
124 ₸
от 100 шт. —
105 ₸
1 шт.
на сумму 124 ₸
Альтернативные предложения2
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Описание
Отзывы
N-КАНАЛЬНЫЙ MOSFET, 60 В, 2,3 А, TO-236, ПОЛНАЯ КАТУШКА, Полярность транзистора:N-канальный, Постоянный ток стока Id: 2,3 А, Напряжение источника стока Vds: 60 В, Сопротивление Rds(включено): 0,13 Ом, Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs: 20 В, Пороговое напряжение Vgs: 3 В, соответствует RoHS: Да
Технические параметры
| Структура | N-Channel | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.086 Ом/1.7А, 4.5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.66 | |
| Крутизна характеристики, S | 5 | |
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Особенности | низкопотребляющая портативная электроника | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet SI2308BDS
pdf, 1472 КБ
