SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А 1.66Вт [SOT-23-3.]
![SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А 1.66Вт [SOT-23-3.]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9000982600
Структура
N-канал
Крутизна характеристики, S
5
Корпус
SOT-23-3
Вес, г
0.05
Все параметры
Datasheet SI2308BDS
pdf, 1472 КБ
7878 шт. с центрального склада, срок 7 дней
109 ₸
от 100 шт. —
97 ₸
1 шт.
на сумму 109 ₸
Описание
N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.3A, TO-236, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2.3A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.13ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:20V, Threshold Voltage Vgs:3V , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.086 Ом/1.7А, 4.5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.66 | |
| Крутизна характеристики, S | 5 | |
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet SI2308BDS
pdf, 1472 КБ
