IRFD120PBF, Транзистор N-MOSFET 100В 1.3А 1.3Вт 0.27Ом [HVMDIP.] [EOL]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

5978

Бренд

Структура

N-канал

Крутизна характеристики, S

0.8

Корпус

HVMDIP-4

Вес, г

0.6

Все параметры

pdf, 176 КБ

Все документы

646 шт. с центрального склада, срок 10 дней

286 ₸

от 10 шт. — 248 ₸

1 шт. на сумму 286 ₸

Альтернативные предложения1

Этот же товар с другими ценами и сроками поставки

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 0,94А, 1,3Вт, DIP4 Характеристики

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.27 Ом/0.78А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.3
Крутизна характеристики, S	0.8
Корпус	HVMDIP-4
Пороговое напряжение на затворе	4
Вес, г	0.6

pdf, 176 КБ

pdf, 1833 КБ

Доставка в регион Алматы