IRF5852TRPBF-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 6А 1.6Вт 0.022Ом [TSOP-6.]
![IRF5852TRPBF-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 6А 1.6Вт 0.022Ом [TSOP-6.]](https://static.chipdip.ru/lib/257/DOC005257820.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001504478
Структура
2N-канала
Крутизна характеристики, S
10
Корпус
TSOP-6
Вес, г
0.1
Все параметры
Datasheet IRF5852TRPBF
pdf, 257 КБ
6022 шт. с центрального склада, срок 10 дней
156 ₸
от 50 шт. —
144 ₸
1 шт.
на сумму 156 ₸
Технические параметры
Структура | 2N-канала | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.022 Ом/3.4А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 | |
Крутизна характеристики, S | 10 | |
Корпус | TSOP-6 | |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet IRF5852TRPBF
pdf, 257 КБ