IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB]
![IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210963.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
5409
Структура
P-канал
Крутизна характеристики, S
21
Корпус
TO-220
Вес, г
2
Все параметры
IRF4905 datasheet
pdf, 108 КБ
Все документы
8 шт. со склада г.Алматы, Сегодня
1528 шт. с центрального склада, срок 9 дней
830 ₸
от 50 шт. —
670 ₸
1 шт.
на сумму 830 ₸
Альтернативные предложения2
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Описание
Отзывы
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 74 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.02Ом/38А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 | |
| Крутизна характеристики, S | 21 | |
| Корпус | TO-220 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
IRF4905 datasheet
pdf, 108 КБ
Technical Data Sheet - EN Technical Data Sheet
pdf, 181 КБ
