IR4426PBF, Драйвер IGBT/N-MOSFET, 2-канала, Low-Side, инвертирующий, 2.3/3.3А, 6…20В [DIP-8.]
![IR4426PBF, Драйвер IGBT/N-MOSFET, 2-канала, Low-Side, инвертирующий, 2.3/3.3А, 6…20В [DIP-8.]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304707.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
1684
Конфигурация
Low-Side
Тип канала
независимый
Кол-во каналов
2
Тип управляемого затвора
IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В
6…20
Логическое напряжение (VIL), В
0.8
Все параметры
Datasheet IR4426
pdf, 295 КБ
187 шт. с центрального склада, срок 12 дней
2 930 ₸
от 5 шт. —
2 580 ₸
1 шт.
на сумму 2 930 ₸
Альтернативные предложения2
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Описание
Отзывы
Описание IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5?1.5A Характеристики
| Категория | Микросхема |
| Тип | драйвер |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Конфигурация | Low-Side | |
| Тип канала | независимый | |
| Кол-во каналов | 2 | |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET | |
| Напряжение питания, В | 6…20 | |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 | |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.7 | |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 2.3 | |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 3.3 | |
| Тип входа | инвертирующий | |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 15 | |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 10 | |
| Рабочая температура, °C | -40…+150(TJ) | |
| Корпус | DIP-8 | |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IR4426
pdf, 295 КБ
