HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 463Вт [TO-247.] [EOL]
![HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 463Вт [TO-247.] [EOL]](https://static.chipdip.ru/lib/220/DOC001220075.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
929 шт. с центрального склада, срок 8 дней
3 700 ₸
3 440 ₸
от 15 шт. —
3 170 ₸
1 шт.
на сумму 3 440 ₸
Описание
IGBT, TO-247; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.6V; Power Dissipation Pd:463W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:SOT-249; Current Ic Continuous a Max:75A; Current Temperature:25°C; Device Marking:HGTG30N60A4D; Fall Time Typ:38ns; Fall Time tf:38ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Configuration:With flywheel diode; Power Dissipation Max:463W; Pulsed Current Icm:240A; Rise Time:12s; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:IGBT; Voltage Vces:600V
Технические параметры
| Технология/семейство | SMPS Series | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 240 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.6 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 463 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 25 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 150 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
| Корпус | TO-247 | |
| Вес, г | 7.5 |
