FQP50N06, Транзистор N-MOSFET 60В 50А 120Вт 0.018Ом [TO-220.]
![Фото 1/3 FQP50N06, Транзистор N-MOSFET 60В 50А 120Вт 0.018Ом [TO-220.]](https://static.chipdip.ru/lib/213/DOC001213184.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9000020541
Бренд
Структура
N-канал
Крутизна характеристики, S
40
Корпус
TO-220
Вес, г
2
Все параметры
Документация
pdf, 762 КБ
Все документы
19 шт. со склада г.Алматы, Сегодня
3836 шт. с центрального склада, срок 7-13 дней
670 ₸
331 ₸
от 15 шт. —
318 ₸
1 шт.
на сумму 331 ₸
Описание
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:120W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:SOT-78B; Current Id Max:50A; Device Marking:FQP50N06; On State Resistance Max:22mohm; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Pulse Current Idm:200A; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.022 Ом/25А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 120 | |
| Крутизна характеристики, S | 40 | |
| Корпус | TO-220 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5 | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Документация
pdf, 762 КБ
Datasheet FQP50N06
pdf, 644 КБ
