FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252]

FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001002896
Структура
P-канал
Крутизна характеристики, S
20
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г
0.4
Все параметры
Datasheet FDD6637
pdf, 764 КБ
18 шт. со склада г.Алматы, Сегодня
7177 шт. с центрального склада, срок 11 дней
346
от 100 шт.314
1 шт. на сумму 346
Альтернативные предложения1
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Посмотреть аналоги2
Товары со схожими характеристиками

Описание

30V 80A 9m-@10V,80A P Channel TO-252-2 MOSFETs

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.011 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 187
Крутизна характеристики, S 20
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet FDD6637
pdf, 764 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Алматы

Офис «ЧИП и ДИП» Сегодня1 бесплатно
Курьер 17 мая1 2 1842
ПВЗ СДЭК (KZ)
Казпочта 17 мая1 1 6502
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг