Транзисторы биполярные (BJTs) BC546BTA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
8002976442
Бренд
Brand
ON Semiconductor/ Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
0.1 A
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Factory Pack Quantity
2000
Все параметры
Datasheet
pdf, 297 КБ
Все документы
100 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
437 ₸
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
189 ₸
от 10 шт. —
98 ₸
от 100 шт. —
31 ₸
2 шт.
на сумму 874 ₸
Альтернативные предложения7
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Посмотреть аналоги18
Товары со схожими характеристиками
TO-92_formed_leads
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 65 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 250 mV |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 0.1 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 2000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 300 MHz |
| Height | 5.33 mm |
| Length | 5.2 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 0.1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-92-3 Kinked Lead |
| Packaging | Ammo Pack |
| Part # Aliases | BC546BTA_NL |
| Pd - Power Dissipation | 0.5 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | BC546 |
| Transistor Polarity | NPN |
| Unit Weight | 0.008466 oz |
| Width | 4.19 mm |
| Collector Emitter Voltage Max | 65В |
| DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-92 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 300МГц |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 65 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum DC Current Gain | 110 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.3 |
