Новинки MOSFET-транзисторов от Vbsemi Electronics

28.01.2025

Vbsemi Electronics - известный производитель полевых транзисторов, который был основан в 2003 году. Компания специализируется на проектировании, производстве и продаже широкого ассортимента транзисторов, включая как низковольтные, так и высоковольтные. Продукция соответствует международным стандартам качества ISO9001 и экологическим требованиям RoHS/REACH.

Компания активно развивает свои технологии и расширяет ассортимент, чтобы удовлетворить растущие потребности клиентов. С момента своего основания компания зарекомендовала себя как надежный партнер, предлагая продукцию высокого качества. Основные области применения их продукции: автомобильная электроника, промышленная автоматизация, источники энергии и потребительская электроника.

В ассортимент поступили новинки MOSFET-транзисторов в различных корпусных исполнениях:

Название Структура Напряжение
сток-исток, В (max.)
Ток
сток-исток, А (max.)
Напряжение
затвор-исток, В
Сопротивление канала
в открытом состоянии
Крутизна
характеристики, S
Корпус
TP0610K-T1-E3-VB P-канал 60 0.5 ±20 4 Ом 0.08 SOT-23-3
SI2301BDS-T1-GE3-VB P-канал 20 4 ±12 0.065 Ом 15 SOT-23-3
SI2307CDS-T1-GE3-VB P-канал 30 5.6 ±20 0.054 Ом 18 SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3-VB N-канал 30 6.5 ±20 0.033 Ом 11 SOT-23-3
SI1308EDL-VB N-канал 20 4 ±12 0.040 Ом 17 SOT-323
IRLL110TRPBF-VB N-канал 100 4.5 ±20 0.120 Ом 25 SOT-223
IRF5852TRPBF-VB 2N-канала 20 6 ±12 0.022 Ом 10 TSOP-6
SI4431BDY-T1-E3-VB N-канал 30 9 ±20 0.024 Ом 18 SOIC-8
STD2HNK60Z-VB N-канал 650 2 ±30 3.8 Ом 3.9 TO-252/DPAK
IRFR1010ZTRLPBF-VB N-канал 60 97 ±20 0.0050 Ом 177 TO-252/DPAK
IRF840ASTRRPBF-VB N-канал 650 10 ±30 0.77 Ом 16 TO-263/D2PAK
IRFB9N60APBF-VB N-канал 650 12 ±30 0.59 Ом 16 TO-220
IRFB18N50KPBF-VB N-канал 650 20 ±30 0.19 Ом 7 TO-220
IRL540PBF-VB N-канал 100 55 ±20 0.036 Ом 10 TO-220
IRFB17N50L-VB N-канал 650 15 ±30 0.23 Ом 5.6 TO-220F
FCPF22N60NT-VB N-канал 650 20 ±30 0.19 Ом 7 TO-220F
IRFP460PBF-VB N-канал 500 40 ±30 0.080 Ом 23 TO-247