Микросхемы памяти EEPROM серии 24Схх от Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd
Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd – высокотехнологическое предприятие Шэньчжэня основанное в 2011 году, специализирующееся на исследовании и разработки интегральных схем, корпусировании, тестировании и продаже полупроводниковых устройств. На рынке продукция компании известна под торговыми марками HGSEMI и HGC.
Компания имеет передовую международную производственную линию, а также техническую команду с богатым опытом в области производства электронных компонентов, а выпускаемая продукция компании позиционируется на китайском рынке, как продукция высокого класса.
Производство компании сертифицировано по ISO9001, ISO9002, ISO14001 и в настоящее время проводится сертификация системы управления качеством автомобильной электроники TS16949.
В ассортимент поступили электрически стираемые перепрограммируемые микросхемы памяти (EEPROM) серии 24Cхх в различном корпусном исполнении с объемом памяти от 2 до 512 кБит:
| Название | Объем памяти | Максимальная тактовая частота |
Интерфейс | Напряжение питания, В |
Рабочая температура, °C |
Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AT24C02M/TR | 2 Кбит (256 x 8) | 400 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 1 МГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.7…5.5 | -40…+85 | SOIC-8 |
| AT24C02M5/TR | 2 Кбит (256 x 8) | 400 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 1 МГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.7…5.5 | -40…+85 | SOT-23-5 |
| AT24C02N | 2 Кбит (256 x 8) | 400 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 1 МГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.7…5.5 | -40…+85 | DIP-8 |
| AT24C04M/TR | 4 Кбит (512 x 8) | 400 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 1 МГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.7…5.5 | -40…+85 | SOIC-8 |
| AT24C04M5/TR | 4 Кбит (512 x 8) | 400 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 1 МГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.7…5.5 | -40…+85 | SOT-23-5 |
| AT24C04N | 4 Кбит (512 x 8) | 400 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 1 МГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.7…5.5 | -40…+85 | DIP-8 |
| AT24C08M/TR | 8 Кбит (1К x 8) | 400 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 1 МГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.7…5.5 | -40…+85 | SOIC-8 |
| AT24C08M5/TR | 8 Кбит (1К x 8) | 400 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 1 МГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.7…5.5 | -40…+85 | SOT-23-5 |
| AT24C08N | 8 Кбит (1К x 8) | 400 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 1 МГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.7…5.5 | -40…+85 | DIP-8 |
| AT24C16M/TR | 16 Кбит (2К x 8) | 400 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 1 МГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.7…5.5 | -40…+85 | SOIC-8 |
| AT24C16M5/TR | 16 Кбит (2К x 8) | 400 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 1 МГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.7…5.5 | -40…+85 | SOT-23-5 |
| AT24C16N | 16 Кбит (2К x 8) | 400 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 1 МГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.7…5.5 | -40…+85 | DIP-8 |
| AT24C32M/TR | 32 Кбит (4К x 8) | 100 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 400 кГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.8…5.5 | -40…+85 | SOIC-8 |
| AT24C32N | 32 Кбит (4К x 8) | 100 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 400 кГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.8…5.5 | -40…+85 | DIP-8 |
| AT24C64M/TR | 64 Кбит (8К x 8) | 100 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 400 кГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.8…5.5 | -40…+85 | SOIC-8 |
| AT24C64N | 64 Кбит (8К x 8) | 100 кГц (1.8В, 2.5В, 2.7В), 400 кГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.8…5.5 | -40…+85 | DIP-8 |
| AT24C128M/TR | 128 Кбит (16К x 8) | 400 кГц (1.8В), 1 МГц (2.5...5В) | I2C, 2-Wire | 1.8…5.5 | -40…+85 | SOIC-8 |
| AT24C128N | 128 Кбит (16К x 8) | 400 кГц (1.8В), 1 МГц (2.5...5В) | I2C, 2-Wire | 1.8…5.5 | -40…+85 | DIP-8 |
| AT24C256M/TR | 256 Кбит (32К x 8) | 400 кГц (1.8В), 1 МГц (2.5...5В) | I2C, 2-Wire | 1.8…5.5 | -40…+85 | SOIC-8 |
| AT24C256N | 256 Кбит (32К x 8) | 400 кГц (1.8В), 1 МГц (2.5...5В) | I2C, 2-Wire | 1.8…5.5 | -40…+85 | DIP-8 |
| AT24C512M/TR | 512 Кбит (64К x 8) | 100 кГц (1.8В), 400 кГц (2.7В), 1 МГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.8…5.5 | -40…+85 | SOIC-8 |
| AT24C512N | 512 Кбит (64К x 8) | 100 кГц (1.8В), 400 кГц (2.7В), 1 МГц (5В) | I2C, 2-Wire | 1.8…5.5 | -40…+85 | DIP-8 |