Операционные усилители с выходным каскадом на полевых транзисторах

290 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Серия
сбросить
Тип усилителя
сбросить
Кол-во каналов
сбросить
Тип выхода
сбросить
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс
сбросить
Частота единичного усиления, МГц
сбросить
Полоса пропускания -3 дБ, МГц
сбросить
Токовое смещение на входе, нА
сбросить
Напряжение смещения на входе, мкВ
сбросить
Ток собственного потребления, мА
сбросить
Выходной ток на канал, мА
сбросить
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В
сбросить
Рабочая температура, °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Алматы
Цена,
Мин. цена
Макс. цена
TL071CP, JFET операционный усилитель, 3МГц, 1-канал, 13В/мкс, ±5…15В/+10…30В [DIP-8.]
1087 шт.
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
1087 шт.
281 ×
от 15 шт. — 225
TL072CP, JFET операционный усилитель, 3МГц, 2-канала, 13В/мкс, ±5…15В/+10…30В [DIP-8.]
2220 шт.
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
2220 шт.
281 ×
от 15 шт. — 268
TL074CDT, JFET операционный усилитель, 4МГц, 4-канала, 16В/мкс, ±5…15В/+10…30В [SOIC-14.]
1035 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
быстрый просмотр
1035 шт.
156 ×
от 15 шт. — 125
TL074CN, JFET операционный усилитель, 3МГц, 4-канала, 13В/мкс, ±5…15В/+10…30В [DIP-14.]
958 шт.
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
быстрый просмотр
958 шт.
312 ×
от 15 шт. — 262
TL081CP, Оперционный усилитель JFET 3МГц ±18В [DIP-8.]
1327 шт.
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
1327 шт.
405 ×
от 15 шт. — 343
AD711JNZ, JFET операционный усилитель, 4МГц, 1-канал, 20В/мкс, BiFET, ±4.5...18В [DIP-8.]
10 дней, 168 шт.
Бренд: Analog Devices
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 20
Полоса пропускания -3 дБ, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.015
Напряжение смещения на входе, мкВ: 300
Ток собственного потребления, мА: 2.5
Выходной ток на канал, мА: 25
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +9…36, ±4.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
10 дней,
168 шт.
5 200 ×
от 3 шт. — 4 820
AD711JRZ-REEL7, JFET операционный усилитель, 4МГц, 1-канал, 20В/мкс, BiFET, ±4.5...18В [SOIC-8.]
10 дней, 649 шт.
Бренд: Analog Devices
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 20
Полоса пропускания -3 дБ, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.015
Напряжение смещения на входе, мкВ: 300
Ток собственного потребления, мА: 2.5
Выходной ток на канал, мА: 25
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +9…36, ±4.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
10 дней,
649 шт.
2 190 ×
от 3 шт. — 1 840
AD712JNZ, JFET операционный усилитель, 4МГц, 2-канала, 20В/мкс, BiFET, ±4.5...18В [DIP-8.]
7 дней, 61 шт.
Бренд: Analog Devices
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 20
Полоса пропускания -3 дБ, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.025
Напряжение смещения на входе, мкВ: 300
Ток собственного потребления, мА: 5
Выходной ток на канал, мА: 25
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±4.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
7 дней,
61 шт.
6 400 ×
от 3 шт. — 6 000
AD712JRZ-REEL7, JFET операционный усилитель, 4МГц, 2-канала, 20В/мкс, BiFET, ±4.5...18В [SOIC-8.]
10 дней, 66 шт.
Бренд: Analog Devices
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 20
Полоса пропускания -3 дБ, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.025
Напряжение смещения на входе, мкВ: 300
Ток собственного потребления, мА: 5
Выходной ток на канал, мА: 25
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±4.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
10 дней,
66 шт.
3 810 ×
от 3 шт. — 3 110
AD713JNZ, JFET операционный усилитель, 4МГц, 4-канала, 20В/мкс, BiFET, ±4.5...18В [DIP-14.]
10 дней, 88 шт.
Бренд: Analog Devices
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 20
Полоса пропускания -3 дБ, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.055
Напряжение смещения на входе, мкВ: 300
Ток собственного потребления, мА: 10
Выходной ток на канал, мА: 25
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +9…36, ±4.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
быстрый просмотр
10 дней,
88 шт.
17 400 ×
от 3 шт. — 16 300
AD744JNZ, JFET операционный усилитель, 13МГц, 1-канал, 75В/мкс, BiFET, ±4.5...18В [DIP-8.]
10 дней, 35 шт.
Бренд: Analog Devices
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 75
Полоса пропускания -3 дБ, МГц: 13
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 300
Ток собственного потребления, мА: 3.5
Выходной ток на канал, мА: 25
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±4.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
10 дней,
35 шт.
12 000 ×
от 3 шт. — 10 000
AD795JRZ-REEL7, JFET операционный усилитель, 1.6МГц, 1-канал, 1В/мкс, ±4...18В [SOIC-8.]
10 дней, 35 шт.
Бренд: Analog Devices
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 1
Полоса пропускания -3 дБ, МГц: 1.6
Токовое смещение на входе, нА: 0.001
Напряжение смещения на входе, мкВ: 100
Ток собственного потребления, мА: 1.3
Выходной ток на канал, мА: 10
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +8…36, ±4…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
10 дней,
35 шт.
17 600 ×
от 3 шт. — 14 700
быстрый просмотр
10 дней,
290 шт.
3 060 ×
от 15 шт. — 2 630
ADA4627-1ARZ-R7, Операционный усилитель, 19МГц, 84В/мкс, J-FET, 10…30В, 1-канала [SOIC-8.]
3 недели, 100 шт.
Бренд: Analog Devices
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 84
Частота единичного усиления, МГц: 19
Токовое смещение на входе, нА: 0.001
Напряжение смещения на входе, мкВ: 120
Ток собственного потребления, мА: 7
Выходной ток на канал, мА: 45
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: -40…+125
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
3 недели,
100 шт.
9 000 ×
от 3 шт. — 7 500
ADA4627-1BRZ, JFET операционный усилитель, High Speed, Low Noise, 30В, 19МГц [SOIC-8.]
10 дней, 36 шт.
Бренд: Analog Devices
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 84
Частота единичного усиления, МГц: 19
Токовое смещение на входе, нА: 0.001
Напряжение смещения на входе, мкВ: 70
Ток собственного потребления, мА: 7
Выходной ток на канал, мА: 45
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: -40…+125
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
10 дней,
36 шт.
5 800 ×
от 5 шт. — 5 300
быстрый просмотр
10 дней,
244 шт.
281 ×
от 25 шт. — 243
LF353DR, Двойной операционный усилитель, JFET вход [SO-8]
10 дней, 509 шт.
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.05
Напряжение смещения на входе, мкВ: 5000
Ток собственного потребления, мА: 3.6
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
10 дней,
509 шт.
156 ×
от 50 шт. — 138
LF356MX/NOPB, Операционный усилитель, J-FET, 5МГц [SOIC-8]
10 дней, 721 шт.
Бренд: Texas Instruments
быстрый просмотр
10 дней,
721 шт.
405 ×
от 50 шт. — 374
LF356N/NOPB, Операционный усилитель JFET, 1-канальный [DIP-8]
7 дней, 597 шт.
Бренд: Texas Instruments
Серия: BI-FET
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 12
Частота единичного усиления, МГц: 5
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 5
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
7 дней,
597 шт.
405 ×
от 15 шт. — 387
быстрый просмотр
7 дней,
119 шт.
2 430 ×
от 50 шт. — 2 240
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60