Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) CBI

12 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Алматы
Цена,
Мин. цена
Макс. цена
2N7002KDW, 60V 300mA 0.9Ohm@10V,500mA 0.15W 2 N-Channel SOT-363 MOSFETs
7-8 недель, 4180 шт.
Бренд: CBI
Структура: 2 N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9Ом
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.15
Крутизна характеристики, S: 100 mS
Корпус: SOT-363
7-8 недель,
4180 шт.
61 ×
от 200 шт. — 43
от 600 шт. — 32
от 3000 шт. — 26
2N7002KT, SOT-523-3 MOSFETs
7-8 недель, 1360 шт.
Бренд: CBI
Структура: MOSFET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.8Ω@10V
7-8 недель,
1360 шт.
55 ×
от 100 шт. — 37
от 300 шт. — 28
2N7002KW, МОП-Транзистор SOT-323
7-8 недель, 1160 шт.
Бренд: CBI
Структура: МОП-транзистор
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3Ω@500mA, 10V
Крутизна характеристики, S: 80 mS
Корпус: sot-323
7-8 недель,
1160 шт.
43 ×
от 200 шт. — 31
от 600 шт. — 19
2SK3018, 30V 0.1A 0.35W 8Ohm@4V,10mA N Channel SOT-23 MOSFETs
7-8 недель, 900 шт.
Бренд: CBI
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5Ω@4V, 10mA
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 350 mS
Корпус: sot-23
7-8 недель,
900 шт.
37 ×
от 500 шт. — 19
2SK3018W, 30V 0.1A 8Ohm@4V,10mA 0.2W N Channel SOT-323-3 MOSFETs
7-8 недель, 200 шт.
Бренд: CBI
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8Ом
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.2
Корпус: sot-323
7-8 недель,
200 шт.
55 ×
от 200 шт. — 31
2SK3018WT, 30V 0.1A 8Ohm@4V,10mA 0.15W N Channel SOT-523-3 MOSFETs
7-8 недель, 13650 шт.
Бренд: CBI
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8Ω@4V, 10mA
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.15
7-8 недель,
13650 шт.
37 ×
от 500 шт. — 25
от 3000 шт. — 16
от 6000 шт. — 14
2SK3019, 30V 0.1A 8Ohm@4V,10mA 0.2W N Channel SOT-23 MOSFETs
7-8 недель, 450 шт.
Бренд: CBI
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8Ω@4V, 10mA
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.2
Крутизна характеристики, S: 20 mS
Корпус: sot-23
7-8 недель,
450 шт.
43 ×
2SK3019W, 30V 0.1A 8Ohm@4V,10mA 0.2W N Channel SOT-323-3 MOSFETs
7-8 недель, 1320 шт.
Бренд: CBI
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8Ω@4V, 10mA
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.2
Корпус: sot-323
7-8 недель,
1320 шт.
55 ×
от 200 шт. — 31
от 600 шт. — 24
BSS138, 50V 220mA 3.5Ohm@10V,220mA 350mW N Channel SOT-23 MOSFETs
7-8 недель, 1550 шт.
Бренд: CBI
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5Ом
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 0.1
Корпус: sot-23
7-8 недель,
1550 шт.
37 ×
от 500 шт. — 25
BSS138DW, SOT-363 MOSFETs
7-8 недель, 560 шт.
Бренд: CBI
Структура: MOSFET
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5Ω@10V, 500mA
Корпус: SOT-363
7-8 недель,
560 шт.
80 ×
от 100 шт. — 55
от 300 шт. — 38
BSS84, 50V 0.13A 225mW 4.5Ohm@10V,0.1A P Channel SOT-23 MOSFETs
7-8 недель, 29850 шт.
Бренд: CBI
Структура: P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5Ом
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.225
Крутизна характеристики, S: 270
Корпус: sot-23
7-8 недель,
29850 шт.
37 ×
от 500 шт. — 25
от 3000 шт. — 18
от 6000 шт. — 15
BSS84W, SOT-323-3 MOSFETs
7-8 недель, 700 шт.
Бренд: CBI
Структура: MOSFET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 10Ω@5V, 100mA
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 84
Корпус: sot-323
7-8 недель,
700 шт.
55 ×
от 200 шт. — 31
от 600 шт. — 24