Сборки из транзисторов полевых P-канал + P-канал

30 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Алматы
Цена,
Мин. цена
Макс. цена
IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 55В 3.4А 2Вт [SOIC-8.]
7218 шт.
Бренд: Infineon
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 Ом/3.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 3.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
7218 шт.
421 ×
от 15 шт. — 367
AO4803A, Транзистор 2P-MOSFET 30В 5А 2Вт 0.074Ом [SOP-8 / SOIC-8.]
4 дня, 724 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 74 мОм/6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 13
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4 дня,
724 шт.
55 ×
от 65 шт. — 48
APM4953, Транзистор 2P-MOSFET 30В 5.3А 2Вт [SOP-8]
4 дня, 3629 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 38 мОм/5.3A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4 дня,
3629 шт.
91 ×
от 100 шт. — 67
IRF7104TR, Транзистор 2P-MOSFET 30В 2.3A 2Вт [SOP-8.]
4 дня, 2728 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4 дня,
2728 шт.
151 ×
от 100 шт. — 133
IRF7304TR, Транзистор 2P-MOSFET 20В 4.3А 2Вт [SOP-8]
4 дня, 3623 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 90 мОм/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4 дня,
3623 шт.
241 ×
от 50 шт. — 205
IRF7316TR, Транзистор 2P-MOSFET 30В 4.9А 2Вт [SOP-8]
4 дня, 1842 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 60 мОм/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4 дня,
1842 шт.
241 ×
от 50 шт. — 205
IRF7324TR, Транзистор 2P-MOSFET 20В 9А 2Вт [SOP-8.]
4 дня, 1538 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018Ом/9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 19
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4 дня,
1538 шт.
241 ×
от 50 шт. — 193
IRF7328TR, Транзистор 2P-MOSFET 30В 8А 2Вт [SOP-8]
4 дня, 3220 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 21 мОм/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4 дня,
3220 шт.
211 ×
от 50 шт. — 163
IRF7342TR, Транзистор 2P-MOSFET 55В 3.4А 2Вт [SOP-8.]
4 дня, 3163 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 105 мОм/3.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 3.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4 дня,
3163 шт.
271 ×
от 50 шт. — 247
FDS4935A, Транзистор 2P-MOSFET 30В 8А 3Вт [SOP-8.]
4 дня, 4936 шт.
Бренд: TECH PUBLIC
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8A/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3
Корпус: sop8
быстрый просмотр
4 дня,
4936 шт.
301 ×
от 15 шт. — 253
HSM4313, Транзистор, 2P-MOSFET, 40В, 6.5А, 3.1Вт, 0.045Ом [SOP-8.]
4 дня, 99 шт.
Бренд: HUASHUO
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
быстрый просмотр
4 дня,
99 шт.
157 ×
от 20 шт. — 133
IRF7104TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 2.3A [SOIC-8]
4 дня, 360 шт.
Бренд: Infineon
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4 дня,
360 шт.
391 ×
от 25 шт. — 349
IRF7314TRPBF, Транзисто 2P-MOSFET 20В 5.3А 2Вт 0.058Ом [SOIC-8.] [EOL]
4 дня, 878 шт.
Бренд: Infineon
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.058 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4 дня,
878 шт.
790 ×
от 10 шт. — 590
IRF7324TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 9A [SOIC-8]
4 дня, 3032 шт.
Бренд: Infineon
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 19
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4 дня,
3032 шт.
850 ×
от 50 шт. — 730
IRF7504, Транзистор 2P-MOSFET 20В 5А 2Вт 0.055Ом [SOP-8.]
4 дня, 2705 шт.
Бренд: EVVO
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/3А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4 дня,
2705 шт.
73 ×
от 50 шт. — 55
IRF9362, Транзистор 2P-MOSFET 30В 9.5А 3.1Вт 0.02Ом [SOP-8.]
4 дня, 6248 шт.
Бренд: EVVO
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4 дня,
6248 шт.
151 ×
от 50 шт. — 121
IRF9362TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 30В 8А 2Вт 0.021Ом [SOIC-8.]
4 дня, 727 шт.
Бренд: Infineon
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.021 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4 дня,
727 шт.
790 ×
от 25 шт. — 650
ME4925-G, Транзистор, 2P-MOSFET, 30В, 6.3А, 1.3Вт, 0.016Ом [SOP-8.]
11 дней, 90 шт.
Бренд: MATSUKI
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
быстрый просмотр
11 дней,
90 шт.
79 ×
от 45 шт. — 67
SI9948AEY, Транзистор 2P-MOSFET 60В 5.3А 2Вт [SOP-8.]
4 дня, 1275 шт.
Бренд: EVVO
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.054 Ом/6.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4 дня,
1275 шт.
331 ×
от 50 шт. — 259
IRF7325, MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
4 недели, 170 шт.
Бренд: IR
Структура: MOSFET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.8
быстрый просмотр
4 недели,
170 шт.
790 ×
Страница
  • 1
  • 2
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60