Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ST Microelectronics

_{455 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220] 205 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	205 шт.	1 880 ₸ ×	от 15 шт. — 1 790 ₸
STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247] 197 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	197 шт.	3 650 ₸ ×	от 15 шт. — 3 080 ₸
STGB10NB37LZT4, Транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK] 5 дней, 806 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH, Internally Clamped Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 440 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 1300 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 8000 Рабочая температура (Tj), °C: -65…+175 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	5 дней, 806 шт.	3 130 ₸ ×	от 15 шт. — 3 100 ₸
STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK] 5 дней, 330 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14.2 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	5 дней, 330 шт.	1 370 ₸ ×	от 15 шт. — 1 340 ₸
STGB18N40LZT4, Транзистор Ignition IGBT 420В 30А 150Вт [D2PAK / TO-263.] 5 дней, 456 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5 дней, 456 шт.	800 ₸ ×	от 10 шт. — 690 ₸
STGD18N40LZT4, Транзистор Ignition IGBT 420В 25А 125Вт [DPAK / TO-252.] 5 дней, 1183 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5 дней, 1183 шт.	920 ₸ ×	от 10 шт. — 840 ₸
STGD6NC60HDT4, Транзистор, IGBT, 600В, 15А, 56Вт [DPAK.] 5 дней, 427 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5 дней, 427 шт.	740 ₸ ×	от 15 шт. — 640 ₸
STGF10NC60KD, Транзистор IGBT 600В 9А 25Вт [TO-220FP] 5 дней, 137 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 9 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	5 дней, 137 шт.	2 280 ₸ ×	от 15 шт. — 2 070 ₸
STGF19NC60KD, Транзистор IGBT 600В 16А 32Вт [TO-220FP] 5 дней, 114 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 32 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	5 дней, 114 шт.	920 ₸ ×	от 15 шт. — 770 ₸
STGF6NC60HD, Транзистор, IGBT, 600В, 6А, 20Вт [TO-220FP.] 5 дней, 270 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5 дней, 270 шт.	1 260 ₸ ×	от 10 шт. — 1 010 ₸
STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220] 5 дней, 173 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	5 дней, 173 шт.	2 000 ₸ ×	от 15 шт. — 1 680 ₸
STGP14NC60KD, Транзистор, IGBT, 600В, 14А, 80Вт [TO-220.] 5 дней, 20 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 116 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	5 дней, 20 шт.	800 ₸ ×	от 10 шт. — 660 ₸
STGP19NC60HD, Транзистор PowerMESH IGBT VERY FAST 600V 40A [TO-220-3] 5 дней, 76 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	5 дней, 76 шт.	2 620 ₸ ×	от 15 шт. — 2 230 ₸
STGP19NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 20А [TO-220] 5 дней, 352 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	5 дней, 352 шт.	970 ₸ ×	от 15 шт. — 780 ₸
STGP6NC60HD, Транзистор, IGBT, 600В, 15А, 56Вт [TO-220.] 5 дней, 690 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5 дней, 690 шт.	1 030 ₸ ×	от 10 шт. — 840 ₸
STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220] 5 дней, 202 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 15 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	5 дней, 202 шт.	1 200 ₸ ×	от 15 шт. — 990 ₸
STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247.] 5 дней, 68 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 42 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	5 дней, 68 шт.	4 100 ₸ ×	от 15 шт. — 3 470 ₸
STGW30H60DFB, Транзистор IGBT 600В 60А 260Вт [TO-247] 5 дней, 190 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 37 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 146 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	5 дней, 190 шт.	3 080 ₸ ×	от 15 шт. — 2 990 ₸
STGW30NC120HD, Транзистор, IGBT, 1200В, 60А, 220Вт [TO-247.] 5 дней, 81 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 220 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 275 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	5 дней, 81 шт.	4 040 ₸ ×	от 10 шт. — 3 370 ₸
STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247] 5 дней, 123 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 118 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	5 дней, 123 шт.	4 330 ₸ ×	от 15 шт. — 3 650 ₸

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ST Microelectronics

ТОО «ЧИП и ДИП»