Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

₄₉₉

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже

Мин. цена	₸
Макс. цена	₸

FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: npt trench Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 186 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-3p	быстрый просмотр		3 660 ₸ × от 15 шт. — 3 400 ₸
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: npt trench Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 312 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-3p	быстрый просмотр		2 990 ₸ × от 50 шт. — 2 650 ₸
FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3PN	быстрый просмотр		4 690 ₸ × от 15 шт. — 4 350 ₸
FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3PN	быстрый просмотр		6 100 ₸ × от 15 шт. — 5 700 ₸
FGA6540WDF, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 650В, 40А [TO-3PN] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: trench and fieldstop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 238 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 16.8 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.4 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3PN	быстрый просмотр		3 960 ₸ × от 15 шт. — 3 460 ₸
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: trench and fieldstop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-247g03	быстрый просмотр		5 800 ₸ × от 15 шт. — 5 600 ₸
FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247	быстрый просмотр		5 100 ₸ × от 15 шт. — 4 750 ₸
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-247	быстрый просмотр		4 940 ₸ × от 15 шт. — 4 580 ₸
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 112 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247	быстрый просмотр		4 390 ₸ × от 15 шт. — 4 170 ₸
FGH40T120SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 1200В, 40А [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: trench and fieldstop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 555 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 475 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-247	быстрый просмотр		10 400 ₸ × от 15 шт. — 10 100 ₸
FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 378 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 134 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247	быстрый просмотр		6 100 ₸ × от 15 шт. — 5 700 ₸
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-247	быстрый просмотр		7 800 ₸ × от 15 шт. — 7 600 ₸
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247	быстрый просмотр		4 690 ₸ × от 15 шт. — 4 260 ₸
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: npt Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 64 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		8 500 ₸ × от 15 шт. — 8 100 ₸
FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3] Пр-во: Fairchild Технология/семейство: npt trench Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 180 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 140 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 630 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		5 300 ₸ × от 15 шт. — 5 200 ₸
FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: npt Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 178 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 9.3 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.8 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр		4 880 ₸ × от 15 шт. — 4 590 ₸
FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03] Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 136 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-247d03	быстрый просмотр		8 500 ₸ × от 15 шт. — 8 100 ₸
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS] 3 недели, 70 шт. Пр-во: Toshiba Технология/семейство: gen6 Наличие встроенного диода: нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25 Корпус: TO-220SIS	быстрый просмотр	3 недели, 70 шт.	1 710 ₸ × от 15 шт. — 1 510 ₸
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A] 3 недели, 81 шт. Пр-во: Toshiba Технология/семейство: gen4 Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: 2-16f1a	быстрый просмотр	3 недели, 81 шт.	3 660 ₸ × от 15 шт. — 3 340 ₸
GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)] 3 недели, 103 шт. Пр-во: Toshiba Технология/семейство: gen 6.5 Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1800 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3P(N)	быстрый просмотр	3 недели, 103 шт.	10 800 ₸ × от 10 шт. — 9 800 ₸

IGBT-транзисторы (биполярные транзисторы с изолированным затвором) – трёхэлектродные силовые электронные приборы, которые используются в качестве мощного электронного ключа в инверторах, импульсных источниках питания и системах управления электроприводами.

Внутренняя структура IGBT-транзисторов имеет вид каскадного включения двух электронных ключей: входные ключи, основанные на полевых транзисторах, управляют мощными ключами, основанными на биполярных транзисторах. Управляющим электродом является затвор (как у полевых), а двумя другими электродами – эмиттер и коллектор (как у биполярных).

Получить заказ вы можете в нашем офисе и пункте выдаче в Алматы.
Доставка товаров осуществляется по всему Казахстану курьером, в пункты выдачи заказов DPD, СДЭК и Казпочтой. Закажите доставку в Алматы, Астану, Шымкент, Актобе, Караганду, Тараз, Павлодар и еще в более, чем в 80 городов и населенных пунктов Казахстана.

Товары из группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)» вы можете купить оптом и в розницу.

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

ТОО «ЧИП и ДИП»