Главная › Электронные компоненты › Полупроводниковые модули › IGBT

IGBT модули

_{137 из 150}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

BSM50GX120DN2BOSA1, Модуль IGBT 1200V 80A 360Вт. [EOL] 10 дней, 14 шт. Бренд: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+ выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 72 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350 Рабочая температура (Tj), °C: +150(max) Корпус: ECONOPACK 2K	быстрый просмотр	10 дней, 14 шт.	144 000 ₸ ×	от 3 шт. — 141 000 ₸
BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А. [EOL] 10 дней, 22 шт. Бренд: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 625 Рабочая температура (Tj), °C: +150(max) Корпус: HALF-BRIDGE 1	быстрый просмотр	10 дней, 22 шт.	102 000 ₸ ×	от 3 шт. — 99 000 ₸
FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт 10 дней, 58 шт. Бренд: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 555 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: AG-34MM	быстрый просмотр	10 дней, 58 шт.	58 800 ₸ ×	от 3 шт. — 56 500 ₸
FF300R12KE3HOSA1, Модуль IGBT 1200V 440A 1450Вт 10 дней, 17 шт. Бренд: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 440 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 1450 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+125 Корпус: AG-62MM	быстрый просмотр	10 дней, 17 шт.	111 000 ₸ ×	от 3 шт. — 104 000 ₸
FP25R12KT3, Модуль IGBT 1200В 25А. 10 дней, 19 шт. Бренд: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+ выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+125 Корпус: AG-ECONO2C	быстрый просмотр	10 дней, 19 шт.	88 900 ₸ ×	от 3 шт. — 88 000 ₸
FP25R12W2T4BOMA1, Модуль IGBT 1200V 39A 175Вт 10 дней, 52 шт. Бренд: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+ выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 39 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 175 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: AG-EASY2B	быстрый просмотр	10 дней, 52 шт.	59 900 ₸ ×	от 3 шт. — 57 700 ₸
FP75R12KE3, Модуль IGBT 1200V 105A 355Вт. 10 дней, 31 шт. Бренд: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+ выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 355 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+125 Корпус: AG-ECONO3	быстрый просмотр	10 дней, 31 шт.	177 000 ₸ ×	от 3 шт. — 174 000 ₸
SKIIP23NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 2] 10 дней, 48 шт. Бренд: Semikron Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+ выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 41 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: MiniSKiiP 2	быстрый просмотр	10 дней, 48 шт.	78 600 ₸ ×	от 5 шт. — 75 800 ₸
SKIIP35NAB126V1 + Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 3] 10 дней, 39 шт. Бренд: Semikron Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+ выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: MiniSKiiP 3	быстрый просмотр	10 дней, 39 шт.	124 000 ₸ ×	от 5 шт. — 116 000 ₸
SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93] 10 дней, 36 шт. Бренд: Semikron Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: D-93	быстрый просмотр	10 дней, 36 шт.	105 000 ₸ ×	от 5 шт. — 101 000 ₸
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2] 10 дней, 84 шт. Бренд: Semikron Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+170 Корпус: SEMITRANS 2	быстрый просмотр	10 дней, 84 шт.	55 200 ₸ ×	от 5 шт. — 51 500 ₸
FF150R12RT4, Модуль IGBT 1200В 150А 790Вт. [EOL] 12 дней, 17 шт. Бренд: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 790 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: AG-34MM	быстрый просмотр	12 дней, 17 шт.	35 200 ₸ ×	от 10 шт. — 33 200 ₸
FP06R12W1T4B3, Модуль: IGBT, диод/транзистор, 3-фазный диодный мост, Ic: 6А, 94Вт 12 дней, 4 шт. Бренд: Infineon	быстрый просмотр	12 дней, 4 шт.	41 400 ₸ ×	от 5 шт. — 35 300 ₸
FS75R12KE3, Модуль IGBT 1200V 105A 350Вт 10 дней, 18 шт. Бренд: Infineon Структура: 3-ф инвертор Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350 Рабочая температура (Tj), °C: +150(max) Корпус: AG-ECONO2B	быстрый просмотр	10 дней, 18 шт.	101 000 ₸ ×	от 3 шт. — 99 400 ₸
PM50RSA060, 7 IGBT 600V 50A 3-gen (S-Series) 3 недели, 2 шт. Бренд: Mitsubishi	быстрый просмотр	3 недели, 2 шт.	56 900 ₸ ×	от 5 шт. — 51 200 ₸
standard lid for MiniSKiiP II housing size 3, Крышка для SKIIP35NAB126V1 12 дней, 26 шт. Бренд: Semikron	быстрый просмотр	12 дней, 26 шт.	452 ₸ ×
CM450DX-24T#111G, IGBT модуль 450A 1200В T-серии 3 недели, 9 шт. Бренд: Mitsubishi	быстрый просмотр	3 недели, 9 шт.	86 500 ₸ ×	от 2 шт. — 85 100 ₸ от 8 шт. — 81 700 ₸
CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В 2-3 недели, 2 шт. Бренд: Mitsubishi	быстрый просмотр	2-3 недели, 2 шт.	41 000 ₸ ×	от 2 шт. — 38 000 ₸
DFI600HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3 2-3 недели, 8 шт. Бренд: Leapers Semiconducto	быстрый просмотр	2-3 недели, 8 шт.	85 700 ₸ ×	от 6 шт. — 84 300 ₸
GD100HFX170C1S, IGBTмодуль, Low Loss, замена для SKM100GB17E4, аналог CM100DY-34A, SKM145GB176D 2-3 недели, 23 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	2-3 недели, 23 шт.	31 500 ₸ ×	от 5 шт. — 28 300 ₸

IGBT-модули – силовые устройства, в основе которых лежат IGBT-транзисторы. Данные модули широко используются в преобразовательной технике.

IGBT-модули работают с напряжением в диапазоне от 600 до 6500 В и токами от 50 до 3500 А.

Модули IGBT могут иметь разное исполнения, начиная от одиночных силовых ключей и чопперов, заканчивая полными трёхфазными мостами и однофазными трёхуровневыми схемами.

Кристаллы IGBT-модулей изготавливаются с использованием самых передовых полупроводниковых технологий, которые позволяют получать высокую температуру перехода, низкое падение напряжений и низкую коммутационную потерю, благодаря чему повышается надёжность данных модулей.

Получить заказ вы можете в нашем офисе и пункте выдаче в Алматы.
Доставка товаров осуществляется по всему Казахстану курьером, в пункты выдачи заказов DPD, СДЭК и Казпочтой. Закажите доставку в Алматы, Астану, Шымкент, Актобе, Караганду, Тараз, Павлодар и еще в более, чем в 80 городов и населенных пунктов Казахстана.

Товары из группы «IGBT модули» вы можете купить оптом и в розницу.

IGBT модули

ТОО «ЧИП и ДИП»