Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Структура
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Товары в наличии
Алматы
Цена
Мин. цена
Макс. цена
 
BSM50GX120DN2BOSA1, Модуль IGBT 1200V 80A 360Вт
Пр-во: Infineon
Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 72
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350
Рабочая температура (Tj), °C: +150(max)
Корпус: ECONOPACK 2K
быстрый просмотр
142 000 ×
от 3 шт. — 140 000
BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А
Пр-во: Infineon
Структура: полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 625
Рабочая температура (Tj), °C: +150(max)
Корпус: HALF-BRIDGE 1
быстрый просмотр
100 000 ×
от 3 шт. — 97 800
FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт
Пр-во: Infineon
Структура: полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 555
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: AG-34MM
быстрый просмотр
58 000 ×
от 3 шт. — 55 800
FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт
Пр-во: Infineon
Структура: полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 790
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: AG-34MM
быстрый просмотр
93 200 ×
от 3 шт. — 86 800
FF300R12KE3HOSA1, Модуль IGBT 1200V 440A 1450Вт
Пр-во: Infineon
Структура: полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 440
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 1450
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+125
Корпус: AG-62MM
быстрый просмотр
82 800 ×
от 3 шт. — 81 800
FP25R12KT3BOSA1, Модуль IGBT 1200В 25А
Пр-во: Infineon
Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+125
Корпус: AG-ECONO2C
быстрый просмотр
87 800 ×
от 3 шт. — 86 800
FP25R12W2T4BOMA1, Модуль IGBT 1200V 39A 175Вт
Пр-во: Infineon
Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 39
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 175
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: AG-EASY2B
быстрый просмотр
59 200 ×
от 3 шт. — 56 900
FP75R12KE3BOSA1, Модуль IGBT 1200V 105A 355Вт
Пр-во: Infineon
Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 355
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+125
Корпус: AG-ECONO3
быстрый просмотр
174 000 ×
от 3 шт. — 172 000
FS75R12KE3BOSA1, Модуль IGBT 1200V 105A 350Вт
Пр-во: Infineon
Структура: 3-ф инвертор
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350
Рабочая температура (Tj), °C: +150(max)
Корпус: AG-ECONO2B
быстрый просмотр
109 000 ×
от 3 шт. — 107 000
SKIIP23NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 2]
2-3 недели, 15 шт.
Пр-во: Semikron
Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 41
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: MiniSKiiP 2
быстрый просмотр
2-3 недели,
15 шт.
77 600 ×
от 5 шт. — 74 800
SKIIP35NAB126V1 + Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 3]
2-3 недели, 5 шт.
Пр-во: Semikron
Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: MiniSKiiP 3
быстрый просмотр
2-3 недели,
5 шт.
122 000 ×
от 5 шт. — 114 000
SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]
2-3 недели, 45 шт.
Пр-во: Semikron
Структура: полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: D-93
быстрый просмотр
2-3 недели,
45 шт.
103 000 ×
от 5 шт. — 99 600
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]
2-3 недели, 117 шт.
Пр-во: Semikron
Структура: полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+170
Корпус: SEMITRANS 2
быстрый просмотр
2-3 недели,
117 шт.
54 500 ×
от 5 шт. — 50 800
быстрый просмотр
52 100 ×
от 5 шт. — 49 100
быстрый просмотр
2-4 недели,
25 шт.
446 ×
Модуль skm400gb066d
2-3 недели, 3 шт.
Пр-во: Semikron
2-3 недели,
3 шт.
57 000 ×
SKM150GB12T4
3-5 недель, 59 шт.
Пр-во: Semikron
быстрый просмотр
3-5 недель,
59 шт.
35 000 ×
от 4 шт. — 32 100
от 8 шт. — 29 800
от 24 шт. — 29 200
SKM50GB12T4
3-5 недель, 5 шт.
Пр-во: Semikron
быстрый просмотр
3-5 недель,
5 шт.
33 700 ×
от 2 шт. — 28 500
от 5 шт. — 26 100
B82721A2152N001
3-5 недель, 660 шт.
Пр-во: TDK
быстрый просмотр
3-5 недель,
660 шт.
2 230 ×
от 4 шт. — 1 890
от 16 шт. — 1 810
от 28 шт. — 1 740
быстрый просмотр
2-4 недели,
2000 шт.
110 ×
от 144 шт. — 90
от 287 шт. — 80
от 574 шт. — 75
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60

IGBT-модули – силовые устройства, в основе которых лежат IGBT-транзисторы. Данные модули широко используются в преобразовательной технике.

IGBT-модули работают с напряжением в диапазоне от 600 до 6500 В и токами от 50 до 3500 А.

Модули IGBT могут иметь разное исполнения, начиная от одиночных силовых ключей и чопперов, заканчивая полными трёхфазными мостами и однофазными трёхуровневыми схемами.

Кристаллы IGBT-модулей изготавливаются с использованием самых передовых полупроводниковых технологий, которые позволяют получать высокую температуру перехода, низкое падение напряжений и низкую коммутационную потерю, благодаря чему повышается надёжность данных модулей.

Получить заказ вы можете в нашем офисе и пункте выдаче в Алматы.
Доставка товаров осуществляется по всему Казахстану курьером, в пункты выдачи заказов DPD, СДЭК и Казпочтой. Закажите доставку в Алматы, Астану, Шымкент, Актобе, Караганду, Тараз, Павлодар и еще в более, чем в 80 городов и населенных пунктов Казахстана.

Товары из группы «IGBT модули» вы можете купить оптом и в розницу.