Драйверы MOSFET и IGBT
818
Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
|
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.6…13.2
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 35
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 11
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DFN-8 EP(3x3)
|
 быстрый просмотр |
980 ₸
×
от 5 шт. — 750 ₸
|
||
|
Пр-во: Fairchild
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 13
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ)
Корпус: SOT-23-5
|
 быстрый просмотр |
1 890 ₸
×
от 5 шт. — 1 640 ₸
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 38
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 12
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -40…+125(TA)
Корпус: soic-8(0.154 inch)
|
 быстрый просмотр |
2 260 ₸
×
от 5 шт. — 2 010 ₸
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.09
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.18
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 230
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: soic-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 280 ₸
×
от 5 шт. — 1 050 ₸
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 15…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: soic-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
2 010 ₸
×
от 5 шт. — 1 660 ₸
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 15…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: SOP-14 (0.209 inch)
|
 быстрый просмотр |
2 500 ₸
×
от 5 шт. — 2 080 ₸
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 60
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: soic-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 220 ₸
×
от 5 шт. — 1 130 ₸
|
||
|
4 недели, 72 шт.
Пр-во: Intersil
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 4
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 8.5…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 95
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ)
Корпус: soic-16(0.154 inch)
|
 быстрый просмотр |
4 недели, 72 шт. |
17 200 ₸
×
от 15 шт. — 17 000 ₸
|
|
|
4 недели, 61 шт.
Пр-во: Intersil
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 4
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 8.5…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 95
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ)
Корпус: dip-16(0.300 inch)
|
 быстрый просмотр |
4 недели, 61 шт. |
5 500 ₸
×
от 5 шт. — 5 200 ₸
|
|
|
Пр-во: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12…18
Логическое напряжение (VIL), В: 2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.15
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 7
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 18
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ)
Корпус: soic-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
2 010 ₸
×
от 5 шт. — 1 680 ₸
|
||
|
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
 быстрый просмотр |
3 900 ₸
×
от 5 шт. — 3 510 ₸
|
||
|
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: soic-16(0.295 inch)
|
 быстрый просмотр |
3 960 ₸
×
от 5 шт. — 3 460 ₸
|
||
|
Пр-во: Infineon
Конфигурация: High-Side/Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.7
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 35
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: soic-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
2 930 ₸
×
от 5 шт. — 2 530 ₸
|
||
|
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: dip-8(0.300 inch)
|
 быстрый просмотр |
1 220 ₸
×
от 5 шт. — 1 080 ₸
|
||
|
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: soic-8(0.154 inch)
|
 быстрый просмотр |
530 ₸
×
от 10 шт. — 500 ₸
|
||
|
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: dip-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 770 ₸
×
от 5 шт. — 1 490 ₸
|
||
|
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: soic-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 530 ₸
×
от 5 шт. — 1 370 ₸
|
||
|
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: dip-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 280 ₸
×
от 5 шт. — 1 110 ₸
|
||
|
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: soic-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
980 ₸
×
от 5 шт. — 750 ₸
|
||
|
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: dip-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 410 ₸
×
от 5 шт. — 1 270 ₸
|