Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT

Драйверы MOSFET и IGBT

_{2726 из 2861}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FAN3224TMX, Высокоскоростной MOSFET драйвер, 2-канальный, Low-Side, пиковый выходной ток 4А [SOIC-8-0.154"] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 38 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 12 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -40…+125(TA) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 950 ₸ ×	от 5 шт. — 1 730 ₸
IR2101PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8.] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 060 ₸ ×	от 5 шт. — 930 ₸
IR2104PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8.] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 210 ₸ ×	от 5 шт. — 1 100 ₸
IR2110PBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, 500В, 2А, [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 3.3…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 500 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 160 ₸ ×	от 5 шт. — 1 850 ₸
IR2112STRPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SOIC-16W.] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side/Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	2 160 ₸ ×	от 5 шт. — 2 030 ₸
IR2153DPBF, Самотактируемый полумостовой драйвер [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 840 ₸ ×	от 5 шт. — 1 800 ₸
IR2181STRPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	2 790 ₸ ×	от 15 шт. — 2 620 ₸
IR21844STRPBF, Полумостовой драйвер, [SO-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-14(0.154 inch)	быстрый просмотр	5 600 ₸ ×	от 5 шт. — 5 000 ₸
IR4427PBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 480 ₸ ×	от 15 шт. — 1 370 ₸
IRS21867STRPBF, Драйвер HIGH AND LOW SIDE [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 18 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	4 580 ₸ ×	от 5 шт. — 4 250 ₸
MC33152DR2G, Драйвер MOSFET, Low-Side [SOIC-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.1…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	850 ₸ ×	от 5 шт. — 610 ₸
TC4420EPA, Высокоскоростной драйвер MOSFET, 6A [DIP-8] Бренд: Microchip Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 6 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 6 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 950 ₸ ×	от 5 шт. — 1 490 ₸
UCC37324P, Двухканальный, высокоскоростной драйвер ключа нижнего уровня, 4А, [PDIP-8] Бренд: Texas Instruments Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 740 ₸ ×	от 10 шт. — 1 400 ₸
IR2104SPBF, Полумостовой драйвер HIGH/LOW SIDE [SOIC-8.] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 420 ₸ ×
IR2153SPBF, Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.4A Тбл=1мкс [SOIC-8.] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	690 ₸ ×	от 10 шт. — 640 ₸
ADP3110AKCPZ-RL, Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, питание 4.6В-13.2В, 1А, 20нс, [DFN-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.6…13.2 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 35 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 11 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: DFN-8 EP(3x3)	быстрый просмотр	900 ₸ ×	от 5 шт. — 690 ₸
FAN3100TSX, Драйвер Low-Side Single 2 A High-Speed [SOT-23-5] Бренд: Fairchild Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 13 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: SOT-23-5	быстрый просмотр	1 630 ₸ ×	от 5 шт. — 1 410 ₸
FAN7380MX, Драйвер MOSFET-IGBT, 2-канала, 600В, 018А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.09 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.18 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 230 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 110 ₸ ×	от 5 шт. — 910 ₸
FAN73832MX, Микросхема Half-Bridge Gate-Drive, 15В-20В, 650мА, задержка 180нс [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 15…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 740 ₸ ×	от 5 шт. — 1 430 ₸
FAN7383MX, Драйвер MOSFET/IGBT, полумостовой [SOP-14] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 15…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: SOP-14 (0.209 inch)	быстрый просмотр	2 320 ₸ ×	от 5 шт. — 1 890 ₸

Драйверы MOSFET и IGBT

ТОО «ЧИП и ДИП»