Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Цена
Мин. цена
Макс. цена
 
AUIRF1010ZL, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 94А [TO-262]
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 94
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0075 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Корпус: TO-262
быстрый просмотр
1 550 ×
от 10 шт. — 1 490
AUIRF1324, Транзистор, Auto Q101 Nкан 24В 353А [TO-220AB]
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 24
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 353
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0015 Ом/195А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
2 710 ×
от 15 шт. — 2 580
AUIRFZ44Z, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 51А [TO-220AB]
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0139 Ом/31А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80
Крутизна характеристики, S: 22
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
1 160 ×
от 15 шт. — 1 040
AUIRL3705N, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 89А [TO-220AB]
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 89
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/46А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
2 090 ×
от 15 шт. — 1 930
IRF5810TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канал 20В 2.9А [TSOP-6]
Пр-во: IR
Структура: 2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96
Крутизна характеристики, S: 5.4
Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6
быстрый просмотр
201 ×
от 100 шт. — 178
IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6]
Пр-во: IR
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6
быстрый просмотр
464 ×
от 50 шт. — 394
IRF7105PBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8]
Пр-во: IR
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5/2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/1А, 10В/0.25 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 3.1/4.3
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
232 ×
от 10 шт. — 209
IRF7210TRPBF, Транзистор, P-канал 12В 16А [SO-8] (=IRF7210PBF)
Пр-во: IR
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.007 Ом/16А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 16
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
1 470 ×
от 10 шт. — 1 230
IRF7821PBF, Транзистор, N-канал 30В 13.6А [SO-8]
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0091 Ом/13А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 22
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
1 090 ×
от 25 шт. — 1 080
IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.082 Ом/18А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200
Крутизна характеристики, S: 1.7
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
2 170 ×
от 15 шт. — 1 850
IRFZ48NSPBF, Транзистор, N-канал 55В 64А [D2-PAK]
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/32А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
464 ×
от 15 шт. — 417
IRL3103PBF, Транзистор, N-канал 30В 56А [TO-220AB]
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 64
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/34А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 94
Крутизна характеристики, S: 22
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
1 010 ×
от 15 шт. — 800
IRLR7821TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 65А [D-PAK]
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 65
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 46
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 090 ×
от 15 шт. — 920
IRLR8256PBF, Транзистор, N-канал, 25В, 81А [D-PAK]
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 81
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0057Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 63
Крутизна характеристики, S: 81
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
580 ×
от 15 шт. — 510
2N7000, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]
3 недели, 4186 шт.
Пр-во: JCET
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 ом при 0.5а, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.4
Корпус: to-92
быстрый просмотр
3 недели,
4186 шт.
55 ×
от 100 шт. — 39
2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23-3]
3 недели, 445 шт.
Пр-во: JCET
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7.5 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 80
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
3 недели,
445 шт.
39 ×
от 100 шт. — 31
2N7002,215, Транзистор, N-канал, 60В, 0.3А [SOT-23]
3 недели, 6954 шт.
Пр-во: Nexperia
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
3 недели,
6954 шт.
163 ×
от 100 шт. — 139
2N7002DW-TP, Транзистор MOSFET, 2N-канала, 60В, 0.115А [SOT-363]
Пр-во: MCC
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7.5 Ом/0.05А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.2
Корпус: SOT-363
быстрый просмотр
540 ×
от 100 шт. — 348
2N7002K, Транзистор N-MOSFET 60В 0.3А [SOT-23-3] (2N7002K-T1-GE3)
3 недели, 5400 шт.
Пр-во: Hottech
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
3 недели,
5400 шт.
62 ×
от 100 шт. — 50
2N7002K-T1-GE3, Транзистор N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin [SOT-23]
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
101 ×
от 100 шт. — 85
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60

Транзисторы полевые – полупроводниковые приборы, через которые протекают потоки носителей электрического заряда. Эти потоки регулируются поперечным электрическим полем, создаваемым при помощи напряжения, приложенного между стоком и затвором или истоком и затвором (сток и исток – внешние слои полупроводников, затвор – внутренний).

Принцип работы полевых транзисторов основывается на перемещении основных носителей электрического заряда одного типа (электроны или дырки), в отличие от биполярных транзисторов, у которых два типа носителей заряда.