Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{более 5000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

AO3400A, Транзистор N-MOSFET 30В 5.8А 1.4Вт [SOT-23-3.] 44659 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 27 мОм/5.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	44659 шт.	36 ₸ ×	от 100 шт. — 30 ₸
IRFZ44N, Транзистор N-MOSFET 60В 50А 105Вт 0.012Ом [TO-220.] 6457 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 12 мОм/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Крутизна характеристики, S: 56 Корпус: to-220	быстрый просмотр	6457 шт.	270 ₸ ×	от 100 шт. — 240 ₸
2N7000, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92] 12173 шт. Бренд: JCET Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 ом при 0.5а, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.4 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	12173 шт.	42 ₸ ×	от 100 шт. — 30 ₸
2N7002,215, Транзистор, N-канал, 60В, 0.3А [SOT-23] 8634 шт. Бренд: Nexperia Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	8634 шт.	132 ₸ ×	от 100 шт. — 114 ₸
2N7002K, Транзистор N-MOSFET 60В 0.3А [SOT-23-3] (2N7002K-T1-GE3) 1409 шт. Бренд: Hottech Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	1409 шт.	66 ₸ ×	от 100 шт. — 24 ₸
2N7002K-T1-GE3, Транзистор N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin [SOT-23] 2681 шт. Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	2681 шт.	84 ₸ ×	от 100 шт. — 72 ₸
2SK3878(STA1,E,S), Транзистор N-канал 900В 9А [TO-3P] 809 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 7 Корпус: SC-65/2-16C1B	быстрый просмотр	809 шт.	2 700 ₸ ×
AO3400A, Транзистор N-MOSFET 30В 5.7А [SOT-23-3] 956 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0265 Ом/5.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 33 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	956 шт.	420 ₸ ×	от 100 шт. — 360 ₸
AO3401A, Транзистор P-MOSFET 30В 4А [SOT-23-3.] 5677 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.044 Ом/4.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	5677 шт.	420 ₸ ×	от 100 шт. — 300 ₸
AO3407A, Транзистор P-MOSFET 30В 4.3A [SOT-23-3] 4204 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.048 Ом/4.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	4204 шт.	530 ₸ ×	от 25 шт. — 384 ₸
AO4407AL, Транзистор P-MOSFET 30В 12A [SOIC-8] 1547 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/12А, 20В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	1547 шт.	780 ₸ ×	от 25 шт. — 620 ₸
AO4606, Транзистор, N-канал/P-канал, 30В, 6.9/6А, 2Вт, 0.028Ом/0.035Ом [SO-8] 352 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.9/6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6А, 10В/0.028 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 15/18 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	352 шт.	540 ₸ ×	от 25 шт. — 474 ₸
AON6414AL, Транзистор MOSFET N-канал 30В [DFN-8 (5x6)] 133 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.3 Корпус: DFN-8(5X6)	быстрый просмотр	133 шт.	1 440 ₸ ×	от 10 шт. — 1 290 ₸
AON6512, МОП-транзистор, N-канальный, 30 В, 54 А, [DFN-8 5X6 EP] 457 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 54 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0017 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 7.4 Крутизна характеристики, S: 85 Корпус: DFN-8(5X6)	быстрый просмотр	457 шт.	1 320 ₸ ×	от 15 шт. — 1 060 ₸
AP4525GEH, Транзистор, N+ P-канал, 40В, 15/-12А, 28/42мОм [TO-252-4L] 3298 шт. Бренд: Advanced Power Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15/12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/15А, 10В/0.042 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 10.4 Крутизна характеристики, S: 6/5 Корпус: DPAK-5(4 Leads+Tab)	быстрый просмотр	3298 шт.	780 ₸ ×	от 15 шт. — 540 ₸
AUIRF2804S-7P, Транзистор, Auto Q101 Nкан 40В 320А [D2-PAK-7] 447 шт. Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 320 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0016 Ом/160А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330 Корпус: D2PAK-7(6 Leads+Tab)	быстрый просмотр	447 шт.	4 980 ₸ ×	от 15 шт. — 4 720 ₸
AUIRLR2905Z, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 60А [D-PAK] 446 шт. Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	446 шт.	1 980 ₸ ×	от 15 шт. — 1 860 ₸
BF998E6327HTSA1, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-143] 764 шт. Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.03 Корпус: SOT-143	быстрый просмотр	764 шт.	270 ₸ ×	от 50 шт. — 246 ₸
BS170, Транзистор, N-канал, 60В, 0.5А [TO-92] 12504 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83 Крутизна характеристики, S: 0.32 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	12504 шт.	144 ₸ ×	от 100 шт. — 132 ₸
BSC350N20NSFDATMA1, Транзистор MOSFET N-канал 200В 35А [TDSON-8 EP] 1235 шт. Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/35А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Корпус: PG-TDSON-8	быстрый просмотр	1235 шт.	1 500 ₸ ×	от 15 шт. — 1 410 ₸

Транзисторы полевые – полупроводниковые приборы, через которые протекают потоки носителей электрического заряда. Эти потоки регулируются поперечным электрическим полем, создаваемым при помощи напряжения, приложенного между стоком и затвором или истоком и затвором (сток и исток – внешние слои полупроводников, затвор – внутренний).

Принцип работы полевых транзисторов основывается на перемещении основных носителей электрического заряда одного типа (электроны или дырки), в отличие от биполярных транзисторов, у которых два типа носителей заряда.

Получить заказ вы можете в нашем офисе и пункте выдаче в Алматы.
Доставка товаров осуществляется по всему Казахстану курьером, в пункты выдачи заказов DPD, СДЭК и Казпочтой. Закажите доставку в Алматы, Астану, Шымкент, Актобе, Караганду, Тараз, Павлодар и еще в более, чем в 80 городов и населенных пунктов Казахстана.

Товары из группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)» вы можете купить оптом и в розницу.

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

ТОО «ЧИП и ДИП»