Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже

Мин. цена	₸
Макс. цена	₸

AUIRF1010ZL, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 94А [TO-262] Пр-во: IR Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 94 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0075 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Корпус: TO-262	быстрый просмотр		1 220 ₸ × от 10 шт. — 1 170 ₸
AUIRF1324, Транзистор, Auto Q101 Nкан 24В 353А [TO-220AB] Пр-во: IR Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 24 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 353 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0015 Ом/195А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		2 140 ₸ × от 15 шт. — 2 030 ₸
AUIRL1404S, Auto Q101 Nкан 40В 160А D2Pak Пр-во: IR Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 160 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.004 Ом/95А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 93 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		5 700 ₸ ×
IRF5810TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канал 20В 2.9А [TSOP-6] Пр-во: IR Структура: 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.9А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96 Крутизна характеристики, S: 5.4 Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6	быстрый просмотр		165 ₸ × от 100 шт. — 147 ₸
IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6] Пр-во: IR Структура: 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.7А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96 Крутизна характеристики, S: 5.2 Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6	быстрый просмотр		378 ₸ × от 50 шт. — 323 ₸
IRF7210TRPBF, Транзистор, P-канал 12В 16А [SO-8] (=IRF7210PBF) Пр-во: IR Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.007 Ом/16А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: soic-8	быстрый просмотр		1 220 ₸ × от 10 шт. — 1 000 ₸
IRF7404PBF, Транзистор, P-канал 20В 6.7А [SO-8] Пр-во: IR Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/3.2А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 6.8 Корпус: soic-8	быстрый просмотр		275 ₸ × от 25 шт. — 238 ₸
IRF7821PBF, Транзистор, N-канал 30В 13.6А [SO-8] Пр-во: IR Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0091 Ом/13А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: soic-8	быстрый просмотр		920 ₸ × от 25 шт. — 870 ₸
IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB] Пр-во: IR Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.082 Ом/18А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 1.7 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		3 540 ₸ × от 15 шт. — 3 110 ₸
IRL3103PBF, Транзистор, N-канал 30В 56А [TO-220AB] Пр-во: IR Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 64 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/34А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 94 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		860 ₸ × от 15 шт. — 650 ₸
IRLR7821TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 65А [D-PAK] Пр-во: IR Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 65 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75 Крутизна характеристики, S: 46 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		920 ₸ × от 15 шт. — 740 ₸
100N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252] 3 недели, 1772 шт. Пр-во: UMW Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 90 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.8 мОм/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	3 недели, 1772 шт.	128 ₸ × от 50 шт. — 116 ₸
10N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 10А [TO-220F] 3 недели, 934 шт. Пр-во: UMW Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	3 недели, 934 шт.	409 ₸ × от 50 шт. — 366 ₸
15N10, Транзистор N-MOSFET 100В 15А [TO-252] 3 недели, 2248 шт. Пр-во: UMW Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 95 мОм/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	3 недели, 2248 шт.	134 ₸ × от 50 шт. — 122 ₸
1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223] 3 недели, 2373 шт. Пр-во: UMW Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	3 недели, 2373 шт.	74 ₸ × от 50 шт. — 67 ₸
1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252] 3 недели, 2479 шт. Пр-во: UMW Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	3 недели, 2479 шт.	92 ₸ × от 50 шт. — 80 ₸
1N65G, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [SOT-223] 3 недели, 2415 шт. Пр-во: UMW Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	3 недели, 2415 шт.	86 ₸ × от 50 шт. — 74 ₸
1N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [TO-252] 3 недели, 2485 шт. Пр-во: UMW Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	3 недели, 2485 шт.	86 ₸ × от 50 шт. — 80 ₸
20N06, Транзистор N-MOSFET 60В 20А [TO-252] 3 недели, 2013 шт. Пр-во: UMW Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	3 недели, 2013 шт.	98 ₸ × от 50 шт. — 92 ₸
25N06, Транзистор N-MOSFET 60В 25А [TO-252] 3 недели, 2342 шт. Пр-во: UMW Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/19А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36.2 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	3 недели, 2342 шт.	122 ₸ × от 50 шт. — 110 ₸

Транзисторы полевые – полупроводниковые приборы, через которые протекают потоки носителей электрического заряда. Эти потоки регулируются поперечным электрическим полем, создаваемым при помощи напряжения, приложенного между стоком и затвором или истоком и затвором (сток и исток – внешние слои полупроводников, затвор – внутренний).

Принцип работы полевых транзисторов основывается на перемещении основных носителей электрического заряда одного типа (электроны или дырки), в отличие от биполярных транзисторов, у которых два типа носителей заряда.

Получить заказ вы можете в нашем офисе и пункте выдаче в Алматы.
Доставка товаров осуществляется по всему Казахстану курьером, в пункты выдачи заказов DPD, СДЭК и Казпочтой. Закажите доставку в Алматы, Астану, Шымкент, Актобе, Караганду, Тараз, Павлодар и еще в более, чем в 80 городов и населенных пунктов Казахстана.

Товары из группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)» вы можете купить оптом и в розницу.

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

ТОО «ЧИП и ДИП»