Транзисторы биполярные (BJTs), стр.8
более 1000
Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
3 недели, 445 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8
Корпус: to-126
|
![]() |
3 недели, 445 шт. |
273 ₸
×
от 15 шт. — 187 ₸
|
|
3 недели, 3834 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 190
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8
Корпус: to-126
|
![]() |
3 недели, 3834 шт. |
220 ₸
×
|
|
3 недели, 118 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 190
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8
Корпус: to-126
|
![]() |
3 недели, 118 шт. |
320 ₸
×
от 15 шт. — 240 ₸
|
|
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 190
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8
Корпус: to-126
|
![]() |
360 ₸
×
от 15 шт. — 273 ₸
|
||
3 недели, 3908 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8
Корпус: to-126
|
![]() |
3 недели, 3908 шт. |
293 ₸
×
от 15 шт. — 260 ₸
|
|
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8
Корпус: to-126
|
![]() |
800 ₸
×
от 15 шт. — 580 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8
Корпус: to-126
|
![]() |
660 ₸
×
от 15 шт. — 560 ₸
|
||
3 недели, 682 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-220
|
![]() |
3 недели, 682 шт. |
520 ₸
×
от 15 шт. — 413 ₸
|
|
3 недели, 887 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 36
Корпус: to-126
|
![]() |
3 недели, 887 шт. |
293 ₸
×
от 15 шт. — 220 ₸
|
|
3 недели, 974 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-126
|
![]() |
3 недели, 974 шт. |
320 ₸
×
от 15 шт. — 220 ₸
|
|
3 недели, 276 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-126
|
![]() |
3 недели, 276 шт. |
380 ₸
×
от 15 шт. — 293 ₸
|
|
3 недели, 228 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-126
|
![]() |
3 недели, 228 шт. |
413 ₸
×
от 15 шт. — 320 ₸
|
|
3 недели, 1013 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-126
|
![]() |
3 недели, 1013 шт. |
327 ₸
×
от 15 шт. — 287 ₸
|
|
3 недели, 453 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-126
|
![]() |
3 недели, 453 шт. |
413 ₸
×
от 15 шт. — 320 ₸
|
|
3 недели, 828 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 90
Корпус: to-220
|
![]() |
3 недели, 828 шт. |
870 ₸
×
от 15 шт. — 640 ₸
|
|
3 недели, 672 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 90
Корпус: to-220
|
![]() |
3 недели, 672 шт. |
870 ₸
×
от 15 шт. — 610 ₸
|
|
Пр-во: Infineon
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 50
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 5
Корпус: SOT-223
|
![]() |
413 ₸
×
от 15 шт. — 360 ₸
|
||
3 недели, 202 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750…20000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
|
![]() |
3 недели, 202 шт. |
1 000 ₸
×
от 15 шт. — 880 ₸
|
|
3 недели, 103 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750…20000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
|
![]() |
3 недели, 103 шт. |
660 ₸
×
от 15 шт. — 530 ₸
|
|
3 недели, 218 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 70
Корпус: to-220
|
![]() |
3 недели, 218 шт. |
413 ₸
×
от 15 шт. — 327 ₸
|