Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor
987 из более 1000
Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20…70
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 115
Корпус: то-3
|
![]() |
4 020 ₸
×
от 50 шт. — 3 690 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 140
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 150
Корпус: то-3
|
![]() |
6 700 ₸
×
от 10 шт. — 6 400 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
|
![]() |
110 ₸
×
от 100 шт. — 98 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
|
![]() |
31 ₸
×
от 100 шт. — 25 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
|
![]() |
86 ₸
×
от 100 шт. — 74 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.35
Корпус: to-92
|
![]() |
31 ₸
×
от 100 шт. — 25 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.35
Корпус: to-92
|
![]() |
293 ₸
×
от 100 шт. — 275 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
|
![]() |
128 ₸
×
от 100 шт. — 110 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 90
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75
Корпус: to-220
|
![]() |
860 ₸
×
от 15 шт. — 670 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75
Корпус: to-220
|
![]() |
800 ₸
×
от 15 шт. — 570 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
|
![]() |
220 ₸
×
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 150
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 230
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 25
Корпус: to-220f-3fs
|
![]() |
1 410 ₸
×
от 5 шт. — 1 260 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 400
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.8
|
![]() |
800 ₸
×
от 15 шт. — 640 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…560
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 330
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 25
Корпус: to-220f-3fs
|
![]() |
1 100 ₸
×
от 15 шт. — 910 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
|
![]() |
110 ₸
×
от 100 шт. — 92 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
|
![]() |
86 ₸
×
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn darlington
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
|
![]() |
244 ₸
×
от 100 шт. — 220 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5
Корпус: to-92
|
![]() |
80 ₸
×
от 100 шт. — 50 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420…800
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5
Корпус: to-92
|
![]() |
128 ₸
×
от 100 шт. — 116 ₸
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 150
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5
Корпус: to-92
|
![]() |
116 ₸
×
от 100 шт. — 92 ₸
|