Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor

987 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Структура
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус
Цена
Мин. цена
Макс. цена
 
2N3055G, Транзистор NPN 60V 15A, [TO-3]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20…70
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 115
Корпус: то-3
быстрый просмотр
4 020 ×
от 50 шт. — 3 690
2N3773G, Транзистор NPN 150Вт 4МГц [TO-3]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 140
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 150
Корпус: то-3
быстрый просмотр
6 700 ×
от 10 шт. — 6 400
2N3904BU, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 625 мВт, 200 мА, 100 hFE [TO-92]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
быстрый просмотр
110 ×
от 100 шт. — 98
2N3906BU, Транзистор PNP 40В 0.2А [TO-92]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
быстрый просмотр
31 ×
от 100 шт. — 25
2N4401BU, Транзистор NPN 60В 0.6А 0.625Вт [TO-92]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
быстрый просмотр
86 ×
от 100 шт. — 74
2N4403BU, Транзистор PNP 40В 0.6А [TO-92]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.35
Корпус: to-92
быстрый просмотр
31 ×
от 100 шт. — 25
2N5401YBU, Транзистор PNP 150В 0.6А 0.6Вт [TO-92] (2N5401)
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.35
Корпус: to-92
быстрый просмотр
293 ×
от 100 шт. — 275
2N5551BU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт 100МГц [TO-92]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
быстрый просмотр
128 ×
от 100 шт. — 110
2N6488G, Транзистор NPN 80В 15А [TO-220AB]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 90
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75
Корпус: to-220
быстрый просмотр
860 ×
от 15 шт. — 670
2N6491G, Транзистор PNP 15A 80V [TO-220AB]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75
Корпус: to-220
быстрый просмотр
800 ×
от 15 шт. — 570
2N6520TA, Транзистор PNP 350В 0.5А [TO-92 Formed Leads]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
быстрый просмотр
220 ×
2SA2222SG, Транзистор PNP 50В 10А [TO-220ML]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 150
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 230
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 25
Корпус: to-220f-3fs
быстрый просмотр
1 410 ×
от 5 шт. — 1 260
2SC5706-TL-E, Транзистор NPN 50В 5А [TP-FA / TO-252]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 400
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.8
быстрый просмотр
800 ×
от 15 шт. — 640
2SC6144SG, Транзистор биполярный, NPN 50В 10А 25Вт [TO-220F-3SG]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…560
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 330
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 25
Корпус: to-220f-3fs
быстрый просмотр
1 100 ×
от 15 шт. — 910
BC32725BU, Транзистор PNP 45В 0.8А [TO-92] (BC327-25)
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
быстрый просмотр
110 ×
от 100 шт. — 92
BC33716BU, Транзистор NPN 45В 1А 0.6Вт [TO-92] (BC337-16)
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
быстрый просмотр
86 ×
BC517-D74Z, Транзистор Дарлингтона NPN 30В 0.5А 0.63Вт, [TO-92]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn darlington
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: to-92
быстрый просмотр
244 ×
от 100 шт. — 220
BC547BBU, Транзистор NPN 45В 0.1А 0.63Вт [TO-92]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5
Корпус: to-92
быстрый просмотр
80 ×
от 100 шт. — 50
BC550CTA, Транзистор NPN 45В 0.1А 0.5Вт, [TO-92]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420…800
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5
Корпус: to-92
быстрый просмотр
128 ×
от 100 шт. — 116
BC556BTA, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.5Вт, [TO-92 Ammo]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 150
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5
Корпус: to-92
быстрый просмотр
116 ×
от 100 шт. — 92
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60