Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor

_{3373 из более 5000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

2SC6144SG, Транзистор биполярный, NPN 50В 10А 25Вт [TO-220F-3SG] 143 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…560 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 330 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 25 Корпус: TO-220F-3FS	быстрый просмотр	143 шт.	1 060 ₸ ×	от 15 шт. — 960 ₸
BC517-D74Z, Транзистор Дарлингтона NPN 30В 0.5А 0.63Вт, [TO-92] 604 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30000 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	604 шт.	212 ₸ ×	от 100 шт. — 192 ₸
BC550CTA, Транзистор NPN 45В 0.1А 0.5Вт, [TO-92] 737 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420…800 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	737 шт.	126 ₸ ×	от 100 шт. — 113 ₸
BC817-16LT1G, Транзистор NPN 45В 0.5А 0.31Вт [SOT-23] 1621 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	1621 шт.	40 ₸ ×	от 100 шт. — 34 ₸
BC817-25LT1G, Транзистор NPN 45В 0.8А 0.31Вт, [SOT-23] 7519 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160…400 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	7519 шт.	60 ₸ ×	от 100 шт. — 53 ₸
BC817-40LT1G, Транзистор NPN 45В 0.5А 0.31Вт, [SOT-23] 18511 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 250…600 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	18511 шт.	40 ₸ ×	от 100 шт. — 34 ₸
FJP13009H2TU, Транзистор, NPN, 400В, 12А, 100Вт, (=MJE13009), [TO-220AB] 1774 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 12 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 100 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	1774 шт.	1 460 ₸ ×	от 15 шт. — 1 170 ₸
KSA992FTA, Транзистор PNP 120В 0.05А 0.5Вт hFE=300...600 [TO-92_Formed Leads.] 2009 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 300 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	2009 шт.	113 ₸ ×	от 100 шт. — 100 ₸
KSP13BU, Транзистор NPN Darlington 30В 0.5А [TO-92] 244 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 125 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	244 шт.	212 ₸ ×	от 5 шт. — 192 ₸
KSP2222ABU, Транзистор биполярный, NPN, Ic=600мА, Vceo=40В, Vcbo=75В, Pd=625мВт, (=2N2222A) [TO-92] 2006 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	2006 шт.	100 ₸ ×	от 100 шт. — 93 ₸
KSP2907ATA, Транзистор PNP 60В 0.6А, [TO-92] (=2N2907A) 655 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	655 шт.	93 ₸ ×	от 100 шт. — 80 ₸
MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3] 198 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: то-3	быстрый просмотр	198 шт.	6 500 ₸ ×	от 5 шт. — 5 800 ₸
MJD44H11T4G, Транзистор, NPN 80B/8A/20 Вт, [D-PAK / TO-252] 3425 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 85 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75 Корпус: dpak(to-252)	быстрый просмотр	3425 шт.	463 ₸ ×	от 15 шт. — 424 ₸
MJE13007G, Транзистор NPN 400В 8А 80Вт [TO-220AB] (=ST13007) 732 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 14 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	732 шт.	1 330 ₸ ×	от 15 шт. — 1 160 ₸
MMBT2222ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23] 1432 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	1432 шт.	27 ₸ ×	от 100 шт. — 24 ₸
MMBT2907ALT1G, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, [SOT-23] 1777 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	1777 шт.	34 ₸ ×	от 100 шт. — 30 ₸
MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт, [SOT-23-2] 1139 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 250 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	1139 шт.	20 ₸ ×
MMBT4401LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, [SOT-23] 8129 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 250 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	8129 шт.	27 ₸ ×	от 100 шт. — 24 ₸
MMBT4403LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А, [SOT-23-3] 935 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	935 шт.	27 ₸ ×	от 100 шт. — 24 ₸
MMBT5401LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23] 2296 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 160 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	2296 шт.	34 ₸ ×	от 100 шт. — 30 ₸

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor

ТОО «ЧИП и ДИП»