Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor

3373 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
сбросить
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
сбросить
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
сбросить
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
сбросить
Статический коэффициент передачи тока h21э макс
сбросить
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Алматы
Цена,
Мин. цена
Макс. цена
2SC6144SG, Транзистор биполярный, NPN 50В 10А 25Вт [TO-220F-3SG]
143 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…560
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 330
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 25
Корпус: TO-220F-3FS
быстрый просмотр
143 шт.
1 060 ×
от 15 шт. — 960
BC517-D74Z, Транзистор Дарлингтона NPN 30В 0.5А 0.63Вт, [TO-92]
604 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: TO-92
быстрый просмотр
604 шт.
212 ×
от 100 шт. — 192
BC550CTA, Транзистор NPN 45В 0.1А 0.5Вт, [TO-92]
737 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420…800
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5
Корпус: TO-92
быстрый просмотр
737 шт.
126 ×
от 100 шт. — 113
BC817-16LT1G, Транзистор NPN 45В 0.5А 0.31Вт [SOT-23]
1621 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
1621 шт.
40 ×
от 100 шт. — 34
BC817-25LT1G, Транзистор NPN 45В 0.8А 0.31Вт, [SOT-23]
7519 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160…400
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
7519 шт.
60 ×
от 100 шт. — 53
BC817-40LT1G, Транзистор NPN 45В 0.5А 0.31Вт, [SOT-23]
18511 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 250…600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
18511 шт.
40 ×
от 100 шт. — 34
FJP13009H2TU, Транзистор, NPN, 400В, 12А, 100Вт, (=MJE13009), [TO-220AB]
1774 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 100
Корпус: TO-220
быстрый просмотр
1774 шт.
1 460 ×
от 15 шт. — 1 170
KSA992FTA, Транзистор PNP 120В 0.05А 0.5Вт hFE=300...600 [TO-92_Formed Leads.]
2009 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 300
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5
Корпус: TO-92
быстрый просмотр
2009 шт.
113 ×
от 100 шт. — 100
KSP13BU, Транзистор NPN Darlington 30В 0.5А [TO-92]
244 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 125
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: TO-92
быстрый просмотр
244 шт.
212 ×
от 5 шт. — 192
KSP2222ABU, Транзистор биполярный, NPN, Ic=600мА, Vceo=40В, Vcbo=75В, Pd=625мВт, (=2N2222A) [TO-92]
2006 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 75
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: TO-92
быстрый просмотр
2006 шт.
100 ×
от 100 шт. — 93
KSP2907ATA, Транзистор PNP 60В 0.6А, [TO-92] (=2N2907A)
655 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: TO-92
быстрый просмотр
655 шт.
93 ×
от 100 шт. — 80
MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3]
198 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: то-3
быстрый просмотр
198 шт.
6 500 ×
от 5 шт. — 5 800
MJD44H11T4G, Транзистор, NPN 80B/8A/20 Вт, [D-PAK / TO-252]
3425 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 85
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75
Корпус: dpak(to-252)
быстрый просмотр
3425 шт.
463 ×
от 15 шт. — 424
MJE13007G, Транзистор NPN 400В 8А 80Вт [TO-220AB] (=ST13007)
732 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 14
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: TO-220
быстрый просмотр
732 шт.
1 330 ×
от 15 шт. — 1 160
MMBT2222ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
1432 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 75
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
1432 шт.
27 ×
от 100 шт. — 24
MMBT2907ALT1G, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, [SOT-23]
1777 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
1777 шт.
34 ×
от 100 шт. — 30
MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт, [SOT-23-2]
1139 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
1139 шт.
20 ×
MMBT4401LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, [SOT-23]
8129 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
8129 шт.
27 ×
от 100 шт. — 24
MMBT4403LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А, [SOT-23-3]
935 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
935 шт.
27 ×
от 100 шт. — 24
MMBT5401LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
2296 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
2296 шт.
34 ×
от 100 шт. — 30
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60