Транзисторы биполярные (BJTs), (картинки)
более 1000
Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
быстрый просмотрИнтеграл
3 недели, 4818 шт.
134 ₸
от 100 шт. — 87 ₸
быстрый просмотрИнтеграл
4-5 недель, 297 шт.
167 ₸
от 100 шт. — 140 ₸
быстрый просмотрИнтеграл
3 недели, 114 шт.
140 ₸
от 100 шт. — 120 ₸
быстрый просмотрИнтеграл
3 недели, 777 шт.
140 ₸
от 100 шт. — 114 ₸
быстрый просмотрИнтеграл
3 недели, 1615 шт.
167 ₸
от 100 шт. — 140 ₸
быстрый просмотрИнтеграл
3 недели, 2743 шт.
140 ₸
от 100 шт. — 120 ₸
быстрый просмотрИнтеграл
3 недели, 158 шт.
1 340 ₸
от 15 шт. — 1 220 ₸
быстрый просмотрИнтеграл
3 недели, 3223 шт.
140 ₸
от 15 шт. — 114 ₸
![КТ8116А, Транзистор биполярный NPN, 100В, 5А, 65Вт, 4МГц [КТ-28 / TO-220] (=TIP122)](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
быстрый просмотрИнтеграл
3 недели, 533 шт.
1 070 ₸
от 15 шт. — 840 ₸
![КТ940Б, Транзистор NPN, 250В, 0.1А, 1.2Вт, h21e= 25 [КТ-27 / TO-126] (=BF458)](https://static.chipdip.ru/lib/278/DOC005278800.jpg)
быстрый просмотрИнтеграл
3 недели, 464 шт.
247 ₸
от 50 шт. — 180 ₸
быстрый просмотрИнтеграл
3 недели, 12134 шт.
207 ₸
от 15 шт. — 180 ₸
быстрый просмотрИнтеграл
3 недели, 3097 шт.
207 ₸
от 15 шт. — 173 ₸
быстрый просмотрИнтеграл
4-5 недель, 1324 шт.
293 ₸
от 15 шт. — 233 ₸
быстрый просмотрИнтеграл
3 недели, 1199 шт.
207 ₸
от 15 шт. — 173 ₸
![2N3773G, Транзистор NPN 150Вт 4МГц [TO-3]](https://static.chipdip.ru/lib/222/DOC000222220.jpg)
быстрый просмотрON Semiconductor
7 400 ₸
от 10 шт. — 7 000 ₸
![2N3904, Транзистор NPN 40В 0.2А 0.35Вт [TO-92 Ammo]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299916.jpg)
быстрый просмотрDiotec
3 недели, 6462 шт.
34 ₸
от 100 шт. — 27 ₸
![2N3906BU, Транзистор PNP 40В 0.2А [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/227/DOC000227516.jpg)
![2N4401BU, Транзистор NPN 60В 0.6А 0.625Вт [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/225/DOC000225803.jpg)
быстрый просмотрON Semiconductor
94 ₸
от 100 шт. — 80 ₸
![2N4403BU, Транзистор PNP 40В 0.6А [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/224/DOC000224825.jpg)
Транзисторы биполярные – трёхэлектродные полупроводниковые приборы, у которых электроды подключаются к последовательно расположенным слоям полупроводников с чередующейся примесной проводимостью.
В зависимости от способа чередования бывают p-n-p и n-p-n биполярные транзисторы.
В отличие от полевых транзисторов, работа биполярных основывается на переносе электрического заряда двух типов, носители которых – дырки и электроны.
Электроды, подключаемые к среднему слою, называются базой, а электроды, подключаемые к внешним слоям – коллектором и эмиттером (эти слои различаются степенью легирования примесями).